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STGFW40H65FB

Name: STMicroelectronics STGFW40H65FB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGFW40H65FB
Price: 785 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STGFW40H65FB

メーカ番号：

STGFW40H65FB

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

IGBT Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT

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データシート:

STGFW40H65FB データシート (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	IGBT
RoHS:
技術:	Si
パッケージ/ケース:	TO-3PF
取り付け様式:	Through Hole
構成:	Single
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値:	650 V
コレクタ - エミッタ飽和電圧:	2 V
最大ゲートエミッタ電圧:	- 20 V, 20 V
25 Cでのコレクターの直流:	80 A
Pd - 電力損失:	62.5 W
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
シリーズ:	STGFW40H65FB
ブランド:	STMicroelectronics
ゲート - エミッタリーク電流:	250 nA
製品タイプ:	IGBTs
工場パックの数量:	300
サブカテゴリ:	Transistors
単位重量:	7 g

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データシート

STGFW40H65FB データシート (PDF)

PCN

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 韓国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.

650V HBシリーズ・トレンチ・ゲートフィールド停止IGBT

STMicroelectronics 650V HBシリーズトレンチゲートフィールドストップIGBTは、独自の先進的トレンチゲートとフィールドストップ構造を使用して開発されたIGBTです。あらゆる周波数コンバータの効率性を最大化するため、導電性と切替損失によるマイナスを最適化します。STの先進的トレンチゲートフィールドストップ高速技術により、これらのIGBTは最小限のコレクタ電流オフ時テール電流、および1.6V（typical）の非常に低い飽和電圧（Vce_(sat)）で、切り替え中およびオン時のエネルギー損失を最小限に抑えます。さらに、ややプラスのVCE_(sat) 温度係数と非常にタイトなパラメータ分布により、より安全な並列接続動作がもたらされます。
詳細

パワーMOSFETとIGBTの最新技術

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