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STGW30H65FB

Name: STMicroelectronics STGW30H65FB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGW30H65FB
Price: 719 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STGW30H65FB

メーカ番号：

STGW30H65FB

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

IGBT Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT

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データシート:

STGW30H65FB データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	IGBT
RoHS:
技術:	Si
パッケージ/ケース:	TO-247-3
取り付け様式:	Through Hole
構成:	Single
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値:	650 V
コレクタ - エミッタ飽和電圧:	1.75 V
最大ゲートエミッタ電圧:	- 20 V, 20 V
25 Cでのコレクターの直流:	30 A
Pd - 電力損失:	260 W
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
シリーズ:	STGW30H65FB
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
連続コレクタ電流 IC 最大値:	60 A
ゲート - エミッタリーク電流:	250 nA
製品タイプ:	IGBT Transistors
工場パックの数量:	600
サブカテゴリ:	IGBTs
単位重量:	38 g

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選択した属性: 0

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データシート

STGW30H65FB データシート (PDF)

PCN

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: シンガポール
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

650V HBシリーズ・トレンチ・ゲートフィールド停止IGBT

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