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STGW75H65DFB2-4

Name: STMicroelectronics STGW75H65DFB2-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGW75H65DFB2-4
Price: 1448 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
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Mouser 番号：

511-STGW75H65DFB2-4

メーカ番号：

STGW75H65DFB2-4

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac

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データシート:

STGW75H65DFB2-4 データシート (PDF)

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	IGBT
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
構成:	Single
コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値:	650 V
コレクタ - エミッタ飽和電圧:	1.55 V
最大ゲートエミッタ電圧:	- 20 V, 20 V
25 Cでのコレクターの直流:	115 A
Pd - 電力損失:	357 W
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
製品タイプ:	IGBT Transistors
工場パックの数量:	600
サブカテゴリ:	IGBTs
単位重量:	4.430 g

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データシート

STGW75H65DFB2-4 データシート (PDF)

PCN

コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

1200V H シリーズトレンチゲートフィールド停止 IGBT

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