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STP140N8F7

Name: STMicroelectronics STP140N8F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP140N8F7
Price: 546 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STP140N8F7

メーカ番号：

STP140N8F7

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFET N-channel 80 V 3.5 mOhm typ 90 A

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データシート:

STP140N8F7 データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	80 V
Id - 連続ドレイン電流:	90 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	4.3 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.5 V
Qg - ゲート電荷:	96 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	200 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	STripFET
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
下降時間:	44 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	51 ns
シリーズ:	STP140N8F7
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	82 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	26 ns
単位重量:	2 g

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選択した属性: 0

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データシート

STP140N8F7 データシート (PDF)

PCN

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 中国
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

STripFET™ パワーMOSFET

STripFET™ パワーMOSFETは、新しいゲート構造を持つSTマイクロエレクトロニクス独自のSTripFET™技術の最新の改良効果を享受する、強化版MOSFETです。改善の結果、STripFET™パワーMOSFETは、モーター制御、UPS、DC/DCコンバータ、誘導加熱蒸発器、太陽光発電など、車載用・産業用スイッチングアプリケーションに要求される高電流と低R_DS(on)を実現します。STマイクロエレクトロニクス STripFET™パワーMOSFETは、非常に低いスイッチングゲート電荷、優れたアバランシェ耐性、低いスイッチングゲートドライブの電力損失、高出力密度を備えます。STripFET™パワーMOSFETは、業界最低レベルのR_DS(on) 30V〜150VパワーMOSFETを提供しています。
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パワーMOSFETとIGBTの最新技術

STMicroelectronicsは、パワーMOSFETとIGBTの最新技術を提供します。STは、SMPS、照明、モータ制御、およびさまざまな産業アプリケーションをターゲットとしたお客様の特定のアプリケーションに合わせてカスタマイズされたMOSFETSおよびIGBTの広範なポートフォリオを提供しています。STのポートフォリオには、ハードおよびソフト・スイッチド・トポロジ用の高電圧スーパージャンクションMOSFETとトレンチゲート・フィールドストップIGBT、ならびに電力変換およびBLDCモータ駆動用の低電圧トレンチベースMOSFETがあります。STの最新の1200V SiC MOSFETは、非常に低いRDS(on)領域（最低変動対温度）を備えた業界で最も高温の200°Cのジャンクション定格温度と、より効率的で小型のSMPS設計のための卓越したスイッチング性能を組み合わせています。MシリーズIGBTは、モータ制御を対象としており、堅牢な短絡定格に加えてVCE(SAT)とE（off）の最適化されたトレードオフがあります。STのあらゆるパワー設計向けMOSFETおよびIGBTの総合的な品揃えをご覧ください。

STripFET™ F7パワーMOSFET

STMicroelectronics STripFET F7 MOSFETは、設計の簡素化、および備品サイズとコスト削減を目的とした、より高速かつより効率的なスイッチングを備えた拡張トレンチゲート構造が特徴です。内部静電容量およびゲート電荷も削減し、低スイッチング損失と組み合わせた低オン状態抵抗です。同期整流に理想的であり、最低EMIに最適なキャパシタンスCrss/Ciss比率があります。STripFET F7は、高アバランシェ耐久性が特徴です。
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