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STP3N80K5

Name: STMicroelectronics STP3N80K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP3N80K5
Price: 388 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STP3N80K5

メーカ番号：

STP3N80K5

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFET N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte

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データシート:

STP3N80K5 データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	800 V
Id - 連続ドレイン電流:	2.5 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	2.8 Ohms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	30 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4 V
Qg - ゲート電荷:	9.5 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	60 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	MDmesh
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
下降時間:	25 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	7.5 ns
シリーズ:	STP3N80K5
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	20.5 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	8.5 ns
単位重量:	2 g

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選択した属性: 0

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データシート

STP3N80K5 データシート (PDF)

PCN

コンプライアンスコード

JPHTS:: 8541290100
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

MDmesh K5パワーMOSFET

STMicroelectronicsのMDmesh K5シリーズは、スーパージャンクション構造を採用した超高電圧MOSFETであり、業界最高レベルのRDS(on)と性能指標を備えており、電力密度と効率の向上を実現します。代表的な用途としては、LED照明、計測機器、太陽光発電用インバータ、三相補助電源、溶接、および自動車用バッテリ管理などが挙げられます。