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STP46N60M6

Name: STMicroelectronics STP46N60M6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP46N60M6
Price: 1019 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STP46N60M6

メーカ番号：

STP46N60M6

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFET N-channel 600 V, 68 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

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データシート:

STP46N60M6 データシート (PDF)

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	600 V
Id - 連続ドレイン電流:	36 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	80 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 25 V, 25 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3.25 V
Qg - ゲート電荷:	53.5 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	250 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	MDmesh
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
下降時間:	8.5 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	15.5 ns
シリーズ:	Mdmesh M6
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	48.4 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	20 ns
単位重量:	2 g

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データシート

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PCN

コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: シンガポール
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

MDmesh™ M6 MOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M6 MOSFETには、低ゲート電荷（Q_g）と最適化された容量特性が組み合わされており、電力変換アプリケーションにおける新しいトポロジでの高い効率性を目的としています。スーパージャンクションMDmesh™ M6シリーズには、効率性が極めて高い性能が備わっており、電力密度の増大と低ゲート電荷がもたらされており、高周波数を目的としています。M6シリーズMOSFETには、600～700Vの破壊電圧範囲が備わっています。また、TOリードレス (TO-LL) パッケージ・ソリューションを始めとする広範なパッケージ・オプションがあり、効率的な熱管理が可能になります。このデバイスには、広範な動作電圧が備わっており、充電器、アダプタ、シルバー・ボックス・モジュール、LED照明、テレコム、サーバ、ソーラーを始めとする工業アプリケーションを対象としています。