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STP8N120K5

Name: STMicroelectronics STP8N120K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STP8N120K5
Price: 1151 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STP8N120K5

メーカ番号：

STP8N120K5

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFET N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

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データシート:

STP8N120K5 データシート (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-220-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	6 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	2 Ohms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	30 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3 V
Qg - ゲート電荷:	13.7 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	130 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	MDmesh
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
下降時間:	27 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	11 ns
シリーズ:	STP8N120K5
工場パックの数量:	1000
サブカテゴリ:	Transistors
標準電源切断遅延時間:	40 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	15.5 ns
単位重量:	2 g

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データシート

STP8N120K5 データシート (PDF)

PCN

コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: シンガポール
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

SuperMESH™ 高電圧MOSFET

STマイクロエレクトロニクス ツェナー保護SuperMESH™パワーMOSFETは、標準ストリップベースPowerMESH™レイアウトの徹底した最適化を実現しました。STマイクロエレクトロニクス SuperMESH MOSFETは、最も要求の厳しいアプリケーションに対応する優秀なdv/dt性能を確保しつつ、オン抵抗を大幅に低減しています。SuperMESHデバイスは、ゲート電荷を最小化し、100%アバランシェ試験済みであるほか、改善されたESD性能と新しい高電圧ベンチマークも提供します。STマイクロエレクトロニクス MOSFETは、スイッチングアプリケーション用に設計されています。
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