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STPSC30G12WL

Name: STMicroelectronics STPSC30G12WL
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STPSC30G12WL
Price: 2823 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STPSC30G12WL

メーカ番号：

STPSC30G12WL

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

SIC SCHOTTKYダイオード 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode

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データシート:

STPSC30G12WL データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	SIC SCHOTTKYダイオード
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	DO-247-2
構成:	Single
If - 順電流（Forward Current）:	30 A
Vrrm - 繰返し逆電圧（Repetitive Reverse Voltage）:	1.2 kV
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	1.35 V
Ifsm - 順方向サージ電流（Forward Surge Current）:	250 A
Ir - 逆電流（Reverse Current）:	15 uA
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
製品タイプ:	SiC Schottky Diodes
工場パックの数量:	600
サブカテゴリ:	Diodes & Rectifiers
単位重量:	6 g

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選択した属性: 0

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データシート

STPSC30G12WL データシート (PDF)

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コンプライアンスコード

CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

STPSC30G12 シリコンカーバイドパワーショットキーダイオード

STMicroelectronics STPSC30G12 シリコンカーバイドパワーショットキーダイオードは、ロングリードのDO-247パッケージです。STMicroelectronics のSTPSC30G12は、シリコンカーバイド基板を使用して製造された超高性能パワーショットキー整流器です。ワイドバンドギャップ材料の採用により、 1200V定格の低VFショットキーダイオード構造の設計が可能です。ショットキー構造により、ターンオフ時のリカバリーがなく、リンギングパターンも無視できるほどです。最小限の容量でターンオフする動作は、温度に依存しません。

標準製品

STMicroelectronics標準製品は、幅広い業界標準およびドロップイン交換製品で、最も人気の高い汎用アナログIC、ディスクリート、シリアルEEPROMを対象としています。標準製品は、最高の品質基準に従って製造されており、数多くの製品が車載アプリケーション向けにAECQ認定されています。SPICE、IBISモデル、シミュレーションツールを始めとする包括的な設計支援は、設計に簡単に追加できます。