STW58N65DM2AG

STMicroelectronics
511-STW58N65DM2AG
STW58N65DM2AG

メーカ：

詳細：
MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,765.6 ¥1,766
¥1,486.6 ¥14,866
¥1,350.4 ¥135,040
¥1,220.8 ¥732,480
¥1,134.5 ¥1,361,400

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
48 A
65 mOhms
- 25 V, 25 V
4 V
88 nC
- 55 C
+ 150 C
360 W
Enhancement
AEC-Q101
MDmesh
Tube
ブランド: STMicroelectronics
構成: Single
下降時間: 7.7 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 31 ns
シリーズ: STW58N65DM2AG
工場パックの数量: 600
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 157 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 28 ns
単位重量: 6 g
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

コンプライアンスコード
JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

Automotive-Grade N-Channel MDmesh DM2 MOSFETs

STMicroelectronics Automotive-Grade N-Channel MDmesh DM2 Power MOSFETs are high-voltage with very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on). They are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

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