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STW70N60M2

Name: STMicroelectronics STW70N60M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW70N60M2
Price: 1858 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
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Mouser 番号：

511-STW70N60M2

メーカ番号：

STW70N60M2

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

MOSFET N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh M2

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データシート:

STW70N60M2 データシート (PDF)

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	600 V
Id - 連続ドレイン電流:	68 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	30 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 25 V, 25 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	3 V
Qg - ゲート電荷:	118 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	450 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	MDmesh
パッケージ化:	Tube
ブランド:	STMicroelectronics
構成:	Single
下降時間:	9 ns
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	17 ns
シリーズ:	STW70N60M2
工場パックの数量:	600
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	155 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	32 ns
単位重量:	6 g

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選択した属性: 0

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データシート

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PCN

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

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