STWA60N043DM9

STMicroelectronics
511-STWA60N043DM9
STWA60N043DM9

メーカ：

詳細：
MOSFET N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
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STMicroelectronics
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
56 A
43 mOhms
- 30 V, 30 V
4.5 V
78.6 nC
- 55 C
+ 150 C
312 W
Enhancement
Tube
ブランド: STMicroelectronics
製品タイプ: MOSFETs
シリーズ: MDmesh DM9
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 N Channel
単位重量: 6.100 g
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コンプライアンスコード
JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

MDmesh™ M9パワーMOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M9パワーMOSFETは、性能が強化されたデバイス構造、オン抵抗値の削減、総ゲート電荷量の低減が特徴です。これらのパワーMOSFETは、より高い逆方向時のダイオードdv/dt、より堅牢なMOSFET dv/dt特性、電力密度の向上、伝導損失の低減を実現しています。MDmesh M9パワーMOSFETは、高速スイッチング、高効率、低いスイッチング電源損失も実現します。これらのパワーMOSFETは、優れた性能指数（FoM）を示す高耐圧を達成した革新的なスーパージャンクション・テクノロジーを設計に採用しています。高FoMにより、より小型のソリューションを対象にさらに高い電力レベルと密度の向上が可能です。一般的なアプリケーションには、サーバー、通信データ・センター、5Gパワー・ステーション、マイクロインバータ、高速充電器があります。

STP60N043DM9 MDmesh DM9パワーMOSFET

STMicroelectronics STP60N043DM9 MDmesh DM9パワーMOSFETは、ファストリカバリ・ダイオードとの組み合わせにより、単位面積当たりのRDS(on)が非常に低い中 / 高電圧のMOSFETに適しています。本デバイスは、きわめて革新的なスーパージャンクションMDmesh DM9テクノロジーを採用しています。本テクノロジーは、マルチドレイン製造プロセスを活用することで、高度なデバイス構造を可能にしています。

在庫: 53

在庫：
53 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
26 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
53を超える数量には、最低発注量条件が適用されます。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥2,116.1 ¥2,116
¥1,219.2 ¥12,192
¥1,129.5 ¥135,540
¥1,107.9 ¥565,029

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