CSD23202W10T

Texas Instruments
595-CSD23202W10T
CSD23202W10T

メーカ：

詳細：
MOSFET 12V PCH NexFET A 595 -CSD23202W10 A 595- A 595-CSD23202W10

データシート:
ECADモデル:
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Texas Instruments
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DSBGA-4
P-Channel
1 Channel
12 V
2.2 A
92 mOhms
- 6 V, 6 V
600 mV
2.9 nC
- 55 C
+ 150 C
1 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Texas Instruments
構成: Single
下降時間: 21 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 4 ns
シリーズ: CSD23202W10
工場パックの数量: 250
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 P-Channel
標準電源切断遅延時間: 58 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 9 ns
単位重量: 1 mg
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選択した属性: 0

データシート

Images

SPICE Models

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コンプライアンスコード
JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

NexFET Pチャンネル・パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET PチャンネルパワーMOSFETは、超薄型で優れた熱特性が可能な最小の輪郭で、最低のオン抵抗とゲート充電を提供するように設計されています。これらのNexFET MOSFETは、超低オン抵抗と超低QgとQgd、および1.0mm x 1.5mmの小型フットプリントが特徴です。

NexFET™ パワーMOSFET

Texas Instruments NexFET™パワーMOSFETは、同じ抵抗値で半分のゲート電荷を供給するため、設計者は2倍の周波数で90%の電源効率を達成できます。NexFETパワーMOSFETは、横方向のパワーMOSFETと垂直方向の電流の流れを組み合わせています。これらのデバイスは、低オン抵抗を提供し、業界標準のパッケージ外形で極めて低いゲート電荷を必要とします。Texas Instruments NexFETパワーMOSFET技術は、ハイパワーコンピューティング、ネットワーキング、サーバーシステム、および電源でエネルギー効率を向上させます。

在庫: 1,134

在庫：
1,134 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
9 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（250の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥292.3 ¥292
¥140.2 ¥1,402
¥108.5 ¥10,850
完全リール（250の倍数で注文）
¥108.5 ¥27,125
¥92.8 ¥46,400
¥86.9 ¥86,900
¥79.4 ¥198,500
¥76.2 ¥381,000
¥72.4 ¥724,000
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

他のパッケージ

メーカ 部品番号:
CSD23202W10
梱包:
Reel, Cut Tape, MouseReel
在庫状況:
在庫
価格:
¥111
最低:
1

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