C3M0030170P

Wolfspeed
941-C3M0030170P
C3M0030170P

メーカ:

詳細:
SiC MOSFET SiC, MOSFET, 30mO, 1700V, TO-247-4 Plus, Industrial

ライフサイクル:
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ECADモデル:
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製品属性 属性値 属性の選択
Wolfspeed
製品カテゴリー: SiC MOSFET
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
1700 V
74 A
40.5 mOhms
- 8 V, + 19 V
3.6 V
219 nC
- 40 C
+ 175 C
427 W
Enhancement
C3M
ブランド: Wolfspeed
構成: Single
下降時間: 20 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 53 S
製品: MOSFETS
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 38 ns
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ極性: N-Channel
トランジスタ タイプ: 1N-Channel
タイプ: Power MOSFET
標準電源切断遅延時間: 96 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 47 ns
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選択した属性: 0

コンプライアンスコード
USHTS:
8541290095
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
アメリカ
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

SiC C3M MOSFET

Cree SiC C3M MOSFETは、より高いスイッチング周波数を可能にし、インダクタ、コンデンサ、フィルタ、変調器の部品サイズを縮小します。 SiC C3M MOSFETには、より高いシステム効率があり、冷却要件を削減します。 MOSFETは電力密度、およびシステム切替頻度も増加します。

1700Vディスクリート炭化ケイ素(SiC)MOSFET

Wolfspeed 1700Vディスクリート炭化ケイ素(SiC)MOSFETは、高電圧電力変換システムにおいて卓越した効率、電力密度、信頼性を提供するように設計されています。高度なSiC技術を活用することで、従来のシリコンベースデバイスと比較し、高速スイッチング、高動作周波数、低電力損失を実現します。その結果、冷却要件が削減され、システム全体のコストが低減された、より小型で軽量、かつ効率的なシステム設計を実現しています。12V~15Vのゲートドライブ動作、低静電容量、高耐圧電圧能力を備えており、要求の厳しい産業とエネルギー向けのアプリケーションで堅牢な性能を発揮します。

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