MR0A08BYS35

Name: Everspin Technologies MR0A08BYS35
Brand: Everspin Technologies
SKU: 936-MR0A08BYS35
Price: 3822 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

936-MR0A08BYS35

メーカ番号：

MR0A08BYS35

メーカ：

Everspin Technologies

詳細：

MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）

データシート:

MR0A08BYS35 データシート (PDF)

ECADモデル:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Everspin Technologies
製品カテゴリー:	MRAM（磁気抵抗メモリ）
RoHS:
パッケージ/ケース:	TSOP-II-44
インタフェースタイプ:	Parallel
メモリサイズ:	1 Mbit
編成:	128 k x 8
データバス幅:	8 bit
アクセス時間:	35 ns
供給電圧 - 最小:	3 V
供給電圧 - 最大:	3.6 V
動作供給電流:	25 mA, 55 mA
最低動作温度:	0 C
最高動作温度:	+ 70 C
取り付け様式:	SMD/SMT
シリーズ:	MR0A08B
パッケージ化:	Tray
ブランド:	Everspin Technologies
水分感度:	Yes
Pd - 電力損失:	600 mW
製品タイプ:	MRAM
工場パックの数量:	135
サブカテゴリ:	Memory & Data Storage
トレードネーム:	Parallel I/O (x8)
単位重量:	11.146 g

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コンプライアンスコード

JPHTS:: 8542320312
CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
KRHTS:: 8542321040
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 台湾
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

MR0A08B, MR0D08B, & MR0A16A 1Mb Parallel MRAM

Everspin Technologies MR0A08B, MR0D08B, and MR0A16A are 1,048,576-bit magnetoresistive random access memory (MRAM) devices. The Everspin MRAM devices are available in a variety of specifications, such as dual supply, serial SPI, and organized as 131,072 words of 8 bits or 65,536 words of 16 bits. These MRAM devices are as fast 35ns or 45ns read/write timing cycles with no write delays and unlimited read/write endurance.

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

Everspin Technologies Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) delivers significantly long data retention of >20 years and unlimited endurance. The data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification. These MRAM devices feature a 1 transistor – 1 magnetic tunnel junction (1T-1MTJ) architecture. Everspin MRAM products consist of serial SPI MRAMs and parallel interface MRAMs. The serial SPI MRAMs offer ideal memory for applications that must store and retrieve data and programs quickly using a minimum number of pins. The parallel interface MRAMs are SRAM compatible with 35ns/45ns access timing and unlimited endurance.