NTP5D0N15MC

Name: onsemi NTP5D0N15MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTP5D0N15MC
Price: 1004 JPY
Availability: InStock

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製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

863-NTP5D0N15MC

メーカ番号：

NTP5D0N15MC

メーカ：

onsemi

詳細：

MOSFET PTNG 150V N-FET TO220

データシート:

NTP5D0N15MC データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	Through Hole
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	150 V
Id - 連続ドレイン電流:	139 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	5 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.5 V
Qg - ゲート電荷:	75 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	214 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	PowerTrench
パッケージ化:	Tube
ブランド:	onsemi
製品タイプ:	MOSFETs
シリーズ:	NTP5D0N15MC
工場パックの数量:	50
サブカテゴリ:	Transistors

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データシート

NTP5D0N15MC データシート

Material Composition Disclosure

コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 中国
拡散国:: 韓国

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

シールドゲートPowerTrench® MOSFET

OnsemiシールドゲートPowerTrench® MOSFETはNチャンネルであり、最適化されたスイッチング性能を提供します。このMOSFETは、低い逆回復充電 (Qrr) とソフトボディダイオードが特徴で、優れた低ノイズスイッチングを目的としています。OnsemiシールドゲートPowerTrench MOSFETは、より低いスイッチングスパイクと電磁干渉 (EMI) により高効率を提供します。これにより、スイッチング性能指数 (FOM) が向上します。代表的なアプリケーションには、ATX/サーバー/テレコム電源ユニット(PSU) 、モータドライブ、無停電電源装置(UPS) 、マイクロソーラーインバータなどの同期整流が含まれます。