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GaN FET 18 V, 151 A enhancement-mode eGaN power transistor with 0.28 mOhm typ RDS(on).
EPC EPC2370
- EPC2370
- EPC
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1:
¥1,239.1
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在庫なし
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新製品
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Mouser 部品番号
65-EPC2370-ES
新製品
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EPC
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GaN FET 18 V, 151 A enhancement-mode eGaN power transistor with 0.28 mOhm typ RDS(on).
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在庫なし
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最低: 1
複数: 1
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GaN FET 25 V GaN power transistor, 88 A, 0.65 mOhm typ RDS(on), designed for synchronous rectification and POL buck converters.
EPC EPC2371
- EPC2371
- EPC
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1:
¥976.7
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在庫なし
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新製品
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Mouser 部品番号
65-EPC2371-ES
新製品
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EPC
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GaN FET 25 V GaN power transistor, 88 A, 0.65 mOhm typ RDS(on), designed for synchronous rectification and POL buck converters.
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在庫なし
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最低: 1
複数: 1
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GaN FET 25 V enhancement-mode eGaN power transistor for high-frequency DC-DC conversion and synchronous rectification.
EPC EPC2372
- EPC2372
- EPC
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3,000:
¥470.1
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在庫なし
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新製品
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Mouser 部品番号
65-EPC2372-ES
新製品
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EPC
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GaN FET 25 V enhancement-mode eGaN power transistor for high-frequency DC-DC conversion and synchronous rectification.
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在庫なし
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最低: 3,000
複数: 1
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GaN FET 18 V enhancement-mode eGaN power transistor, 88 A, 0.5 mOhm typ RDS(on), optimized for servers and AI power systems.
EPC EPC2373
- EPC2373
- EPC
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1:
¥890.3
-
在庫なし
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新製品
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Mouser 部品番号
65-EPC2373-ES
新製品
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EPC
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GaN FET 18 V enhancement-mode eGaN power transistor, 88 A, 0.5 mOhm typ RDS(on), optimized for servers and AI power systems.
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在庫なし
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最低: 1
複数: 1
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GaN FET Enhancement-mode eGaN power transistor for high-efficiency DC-DC conversion and synchronous rectification.
EPC EPC2374
- EPC2374
- EPC
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3,000:
¥516.6
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在庫なし
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新製品
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Mouser 部品番号
65-EPC2374-ES
新製品
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EPC
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GaN FET Enhancement-mode eGaN power transistor for high-efficiency DC-DC conversion and synchronous rectification.
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在庫なし
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最低: 3,000
複数: 1
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GaN FET Enhancement-mode eGaN power transistor for high-frequency power conversion applications.
EPC EPC2375
- EPC2375
- EPC
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1:
¥1,102.9
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在庫なし
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新製品
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Mouser 部品番号
65-EPC2375
新製品
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EPC
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GaN FET Enhancement-mode eGaN power transistor for high-frequency power conversion applications.
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在庫なし
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最低: 1
複数: 1
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GaN FET Enhancement-mode eGaN power transistor for high-current, high-frequency DC-DC conversion and synchronous rectification.
EPC EPC2376
- EPC2376
- EPC
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3,000:
¥887
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在庫なし
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新製品
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Mouser 部品番号
65-EPC2376
新製品
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EPC
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GaN FET Enhancement-mode eGaN power transistor for high-current, high-frequency DC-DC conversion and synchronous rectification.
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在庫なし
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最低: 3,000
複数: 1
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GaN FET 40 V, 101 A enhancement-mode eGaN power transistor with 0.5 mOhm typ RDS(on), optimized for 48 V-to-12 V LLC converter synchronous rectification.
EPC EPC2377
- EPC2377
- EPC
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1:
¥1,122.8
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在庫なし
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新製品
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Mouser 部品番号
65-EPC2377
新製品
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EPC
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GaN FET 40 V, 101 A enhancement-mode eGaN power transistor with 0.5 mOhm typ RDS(on), optimized for 48 V-to-12 V LLC converter synchronous rectification.
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在庫なし
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最低: 1
複数: 1
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GaN FET 25 V, 101 A GaN power transistor with 0.41 mOhm typ RDS(on), optimized for high-performance DC-DC conversion and synchronous rectification.
EPC EPC2378
- EPC2378
- EPC
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1:
¥1,121.2
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在庫なし
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新製品
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Mouser 部品番号
65-EPC2378
新製品
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EPC
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GaN FET 25 V, 101 A GaN power transistor with 0.41 mOhm typ RDS(on), optimized for high-performance DC-DC conversion and synchronous rectification.
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在庫なし
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最低: 1
複数: 1
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