CoolSiC™ 650V G2炭化ケイ素MOSFET

インフィニオン (Infineon) CoolSiC™ 650V G2 炭化ケイ素MOSFETは、エネルギー損失の低減を可能にすることで炭化ケイ素の持つ性能を最大限に引き出し、電力変換時のさらなる高効率を実現します。Infineon CoolSiC 650V G2 MOSFETは、太陽光発電、エネルギー蓄電システム、EV用DC充電、モータドライブ、産業用電源など、さまざまなパワー半導体アプリケーションにメリットをもたらします。CoolSiC G2を搭載した電気自動車用DC急速充電ステーションは、フォームファクタを維持したまま、前世代比で最大10%の電力損失削減と、より高い充電容量を可能にします。

結果: 53
選択 画像 部品番号
 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式
パッケージ/ケース
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
トレードネーム
Infineon Technologies SiC MOSFET Leverages switching performance while enabling the benefits of top-side cooling
データシート
909在庫
1,800取寄中
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 1,800

SMD/SMT 1 Channel 650 V 68 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
535在庫
2,000予想2027/02/04
最低： 1
複数： 1
: 2,000

SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 168 A 13.1 mOhms - 7V, + 23 V 4.5 V 113 nC - 55 C + 175 C 681 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
308在庫
4,000予想2026/12/17
最低： 1
複数： 1
: 2,000

SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 48.1 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
91在庫
240取寄中
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 26.6 A 95 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 14.9 nC - 55 C + 175 C 111 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
1,112在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 115 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
14在庫
3,600取寄中
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 1,800

SMD/SMT TOLT-16 1 Channel 650 V 15 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
1,790在庫
最低： 1
複数： 1
: 1,800

SMD/SMT TOLT-16 1 Channel 650 V 40 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
1,912在庫
最低： 1
複数： 1
: 1,800

SMD/SMT TOLT-16 1 Channel 650 V 50 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
1,737在庫
最低： 1
複数： 1
: 1,800

SMD/SMT TOLT-16 1 Channel 650 V 60 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
2,042在庫
最低： 1
複数： 1
: 2,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 50 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
670在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 93 A 18 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 79 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
308在庫
1,680取寄中
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 83 A 24 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 57 nC - 55 C + 175 C 273 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
279在庫
720取寄中
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 46 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
870在庫
最低： 1
複数： 1
最大： 240

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 38 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 153 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
97在庫
2,000予想2027/05/20
最低： 1
複数： 1
: 2,000

SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 81 A 33 mOhms 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 365 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 33 mohm G2
データシート
199在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 53 A 41 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 34 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
185在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 38 A 62 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 22 nC - 55 C + 175 C 153 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
4在庫
2,000予想2026/10/29
最低： 1
複数： 1
: 2,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 40 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
10在庫
最低： 1
複数： 1
: 2,000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 60 mOhms Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 60 mohm G2
データシート
30在庫
480取寄中
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 32.8 A 73 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 19 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
15,600予想2027/06/10
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 46 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 172 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
1,500取寄中
最低： 1
複数： 1
: 750

SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 196 A 8.5 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 179 nC - 55 C + 175 C 937 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
4,000取寄中
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 2,000

SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 131 A 18 mOhms - 7 V to 23 V 4.5 V 148 nC - 55 C + 175 C 535 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
データシート
3,972予想2027/04/08
最低： 1
複数： 1
: 2,000

SMD/SMT HSOF-8 1 Channel 650 V 58.7 A 49 mOhms - 7 V, + 23 V 5.6 V 28 nC - 55 C + 175 C 277 W Enhancement
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V, 26 mohm G2
データシート
2,313取寄中
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 64 A 33 mOhms - 10 V, + 25 V 5.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 227 W Enhancement CoolSiC