OptiMOS™ 5 パワーMOSFET

Infineon OptiMOS™ 5パワーMOSFETは、システムコストを削減すると同時に、改善されたシステム効率の要件を満たすように設計されました。これらのデバイスは、代替デバイスよりも低いRDS(on)および性能指数(RDS(on)x Qg)を特徴としています。新しいシリコン技術を使用して設計されており、エネルギー効率と電力密度の要件を満たし、かつ超過するように最適化されています。これらのMOSFETの典型的な用途は、コンピューティング業界でのサーバー、データコム、クライアントアプリケーションなどです。これらは、スイッチモード電源の同期整流 (SMPS) 、およびモーター制御、ソーラーマイクロインバーター、高速スイッチングDC/DCコンバーターアプリケーションでも使用できます。

結果: 86
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード 認証 トレードネーム パッケージ化
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
6,000予想2027/03/18
カットテープ
¥754.1
¥387
¥352.1
¥299
リール
¥279
最低: 1
複数: 1
: 6,000
Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 99 A 20 V 2.3 V - 55 C + 175 C Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
10,000予想2026/11/26
カットテープ
¥617.9
¥315.6
¥280.7
¥232.5
リール
¥202.6
最低: 1
複数: 1
: 5,000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 85 A 6.5 mOhms 20 V 3.8 V 34 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 5 Power-Transistor,60V
6,000取寄中
カットテープ
¥926.8
¥483.4
¥441.8
¥395.3
リール
¥372.1
最低: 1
複数: 1
: 3,000
Si SMD/SMT TSON-12 N-Channel 1 Channel 60 V 510 A 1 mOhms 20 V 2.8 V 190 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
499予想2026/12/10
¥546.5
¥272.4
¥245.8
¥197.7
¥189.4
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 44 A 8.3 mOhms 20 V 3.8 V 30 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V 非在庫リードタイム 52 週間
カットテープ
¥1,079.7
¥602.9
¥523.2
¥490
リール
¥451.8
最低: 1
複数: 1
: 5,000
Si SMD/SMT TTFN-9 N-Channel 1 Channel 150 V 148 A 6.32 Ohms 10 V 3 V 48 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 非在庫リードタイム 52 週間
リール
¥235.9
最低: 6,000
複数: 6,000
: 6,000
Si SMD/SMT WHSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 16 A 5 mOhms 20 V 3.8 V 44 nC - 55 C + 175 C 2.5 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 5 Power-Transistor,60V 非在庫リードタイム 14 週間
カットテープ
¥941.8
¥490
¥446.8
¥395.3
¥393.7
リール
¥352.1
最低: 1
複数: 1
: 3,000
Si SMD/SMT TSON-12 N-Channel 1 Channel 60 V 460 A 1.12 Ohms 20 V 2.8 V 168 nC - 55 C + 175 C 273 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IPP020N08N5XKSA1
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 非在庫リードタイム 8 週間
¥475
¥450.1
最低: 500
複数: 500
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2 mOhms 20 V 3.8 V 178 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IPP040N06NXKSA1
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 非在庫リードタイム 12 週間
¥322.2
¥153.8
¥135
¥107
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 69 A 4 mOhms 20 V 3.3 V 38 nC - 55 C + 175 C 36 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IPP020N06NXKSA1
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 非在庫リードタイム 41 週間
¥458.4
¥227.6
¥201
¥165.8
¥163.9
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 2 mOhms 20 V 3.3 V 106 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IPP027N08N5XKSA1
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 非在庫リードタイム 18 週間
¥277.4
¥275.7
¥267.4
¥260.8
最低: 500
複数: 500
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2.7 mOhms 20 V 3.8 V 99 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement Tube