Gen1 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen1 Trench Gate Power MOSFETs are ideally suited for low voltage/ high current applications, requiring an exceedingly low RDS(ON), enabling very low power dissipation. This, combined with wide-ranging operating junction temperature, from -40°C to 175°C, make them suitable candidates for automobile applications and other similar demanding applications in harsh environments.

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説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS 製品タイプ
技術
取り付け様式
パッケージ/ケース

IXYS MOSFET 110 Amps 250V
データシート
707在庫
最低： 1
複数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds
データシート
372在庫
最低： 1
複数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFET MOSFET Id180 BVdass100
データシート
510在庫
750取寄中
最低： 1
複数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET
データシート
265在庫
最低： 1
複数： 1

MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-3
IXYS MOSFET 180A 250V
データシート
56在庫
250予想2026/07/29
最低： 1
複数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFET 230A 200V
データシート
5在庫
300予想2027/01/04
最低： 1
複数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
データシート
10在庫
300予想2026/09/22
最低： 1
複数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFET 60 Amps 100V 18.0 Rds
データシート
141在庫
最低： 1
複数： 1

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFET 50 Amps 250V 50 Rds
データシート
169在庫
最低： 1
複数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFET MOSFET Id60 BVdass100
データシート
18在庫
最低： 1
複数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFET Trench POWER MOSFET 200v, 60A
データシート
66在庫
最低： 1
複数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFET 76 Amps 250V 39 Rds
データシート
185在庫
最低： 1
複数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFET 80 Amps 100V 13.0 Rds
データシート
55在庫
最低： 1
複数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFET TO3P 200V 60A N-CH TRENCH
データシート
274在庫
最低： 1
複数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS MOSFET 44 Amps 100V 25.0 Rds
データシート
810在庫
最低： 1
複数： 1

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)

IXYS MOSFET 230A 200V
データシート
300予想2026/08/03
最低： 1
複数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A
データシート
6予想2026/12/28
最低： 1
複数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFET 102 Amps 150V
データシート
非在庫リードタイム 34 週間
最低： 300
複数： 50
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
IXYS MOSFET 130 Amps 100V
データシート
非在庫リードタイム 33 週間
最低： 300
複数： 50
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)

IXYS MOSFET 102 Amps 0V
データシート
非在庫リードタイム 34 週間
最低： 300
複数： 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET 110 Amps 0V
データシート
非在庫リードタイム 34 週間
最低： 300
複数： 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFET
データシート
非在庫リードタイム 34 週間
最低： 300
複数： 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFET
データシート
非在庫リードタイム 34 週間
最低： 1
複数： 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET 160 Amps 150V
データシート
非在庫リードタイム 34 週間
最低： 300
複数： 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

IXYS MOSFET 230Amps 100V
データシート
非在庫リードタイム 34 週間
最低： 300
複数： 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3