1700V EliteSiC(シリコンカーバイド)ダイオード
Onsemi 1,700V Elite (シリコンカーバイド)ダイオードには、シリコンに比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現している技術が採用されています。Onsemi 1,700V EliteSiCダイオードは、逆回復電流がなく、温度に依存しないスイッチング特性、優れた熱性能が特徴です。システムのメリットには、高効率、高速動作周波数、電力密度の増大、EMIとシステムサイズの削減、費用対効果の向上があります。
Onsemi 1,700V Elite (シリコンカーバイド)ダイオードには、シリコンに比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現している技術が採用されています。Onsemi 1,700V EliteSiCダイオードは、逆回復電流がなく、温度に依存しないスイッチング特性、優れた熱性能が特徴です。システムのメリットには、高効率、高速動作周波数、電力密度の増大、EMIとシステムサイズの削減、費用対効果の向上があります。