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NTH4L075N065SC1

Name: onsemi NTH4L075N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L075N065SC1
Price: 1764 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
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Mouser 番号：

863-NTH4L075N065SC1

メーカ番号：

NTH4L075N065SC1

メーカ：

onsemi

詳細：

SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V

データシート:

NTH4L075N065SC1 データシート

ECADモデル:

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在庫: 776

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	¥1,764	¥1,764
	¥1,061.4	¥10,614
	¥910.2	¥109,224
	¥892	¥454,920
	¥828.8	¥845,376

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	38 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	85 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.3 V
Qg - ゲート電荷:	61 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	148 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	EliteSiC
ブランド:	onsemi
構成:	Single
下降時間:	7 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	9 S
パッケージ化:	Tube
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	12 ns
シリーズ:	NTH4L075N065SC1
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
標準電源切断遅延時間:	20 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	10 ns

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データシート

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PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 中国
拡散国:: 韓国

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

NTH4L075N065SC1 57mohmシリコンカーバイド MOSFET

Onsemi NTH4L075N065SC1 57mohm シリコンカーバイドMOSFET は、TO-247-4Lパッケージに収納され、高速かつ堅牢に設計されています。Onsemi NTH4L075N065SC1 デバイスは、絶縁破壊電界強度が10倍、電子飽和速度が2倍高くなっています。MOSFETは、3倍の高エネルギーバンドギャップ、および3倍の高熱伝導率も備えています。すべての onsemi SiC MOSFET には、自動車、および産業用アプリケーション向けに特別に設計および認定された、AEC-Q101認定、およびPPAP対応オプションが含まれています。

M2 EliteSiC MOSFET

onsemi M2 EliteSiC MOSFETは、650V、750V、1200Vから電圧を選択できます。onsemi M2 MOSFETには、D2PAK7、H-PSOF8L、TDFN4 8x8、TO-247-3LD、TO-247-4LDなど、さまざまなパッケージがあります。MOSFETを採用すると、設計と実装に柔軟性が得られます。加えて、M2 EliteSiC MOSFETは、+22V/-8Vの最大ゲート-ソース間電圧、低R_DS（on）、高い短絡耐量（SCWT）が特長です。

650Vシリコンカーバイド（SiC）MOSFET

onsemi 650Vシリコンカーバイド（SiC）MOSFETには、シリコンに比べて優れたスイッチング性能とより高い信頼性を実現しています。これらの650V SiC MOSFETは低ON抵抗およびコンパクトなチップサイズで、低容量とゲート電荷を保証します。高効率、高速動作周波数、電力密度の向上、EMIの低減、システムサイズの削減などのメリットがあります。