CoolSiC™ 1200V G2 炭化ケイ素MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V G2 炭化ケイ素MOSFETは、パワーエレクトロニクス・アプリケーション向けの高性能ソリューションを提供します。これらのMOSFETは優れた電気特性を持ち、スイッチング損失が非常に低いため、効率的な動作が可能です。1200V G2 MOSFETは、過負荷状態に対応するよう設計されており、200°Cまでの動作をサポートし、最大2µsの短回路に耐えることができます。これらのデバイスは、4.2Vの基準ゲート閾値電圧 V_GS(th) を特徴としており、正確な制御を保証します。CoolSiC MOSFET 1200V G2は、第1世代の技術が持つ強みを活かした3種類のパッケージから入手可能で、よりコスト最適化、効率化、小型化された、設計が容易で信頼性の高いシステムのための先進的なソリューションを提供します。第2世代は、ハード / ソフトスイッチングトポロジーの主要な性能指標を大幅に向上させ、DC-DC、AC-DC、DC-ACステージの一般的な組み合わせに適しています。