R8009KNXC7G

ROHM Semiconductor
755-R8009KNXC7G
R8009KNXC7G

メーカ：

詳細：
MOSFET TO220 800V 9A N-CH MOSFET

データシート:
ECADモデル:
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ROHM Semiconductor
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220FM-3
N-Channel
1 Channel
800 V
9 A
600 mOhms
- 20 V, 20 V
4.5 V
27 nC
- 55 C
+ 150 C
59 W
Enhancement
Bulk
ブランド: ROHM Semiconductor
構成: Single
下降時間: 30 ns
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 40 ns
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: Power MOSFET
標準電源切断遅延時間: 30 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 18 ns
別の部品番号: R8009KNX
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選択した属性: 0

データシート

Specification Sheets

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コンプライアンスコード
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

R8009KNX Nチャンネル800V 9AパワーMOSFET

ROHM Semiconductor R8009KNX Nチャンネル800V 9A パワーMOSFET は、高速スイッチングを備えた低オン抵抗デバイスです。R8009KNXはPbフリーメッキを特徴としており RoHSに準拠しています。MOSFETには、簡単に使用できる並列使用があります。

在庫: 1,367

在庫：
1,367 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
30 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥903.6 ¥904
¥470.1 ¥4,701
¥428.5 ¥42,850
¥382 ¥191,000
¥358.8 ¥358,800

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