SiHx28N60EF / SiHx33N60EF EFシリーズパワーMOSFET

Vishay SiHx28N60EF / SiHx33N60EF EFシリーズパワーMOSFETは、位相シフトブリッジやLLCコンバータハーフブリッジなどZVS/ソフト切り替えPWMトポロジー用に開発されたファーストボディダイオード付き600V NチャネルパワーMOSFETです。SiHx28N60EF /SiHx33N60EF EFシリーズのパワーMOSFETは、 Qrrを標準型MOSFETの10分の1に下げることにより、これらのアプリケーションでの信頼性を向上させています。これにより、デバイスが完全破壊電圧をブロックする能力を素早く回復するため、シュートスルーや熱的過ストレスによる故障を防ぐのに役立ちます。その上、Qrrを低減したことにより、従来型MOSFETと比べて逆回復電荷損失率が低くなっています。デバイスの超低オン抵抗およびゲート電荷により、伝導損や切り替え損失が極めて低く、ハイパワー、ハイパフォーマンスの切り替えモードアプリケーションでエネルギーを節約します。Eシリーズ スーパージャンクション技術を搭載した本シリーズはアバランシェエネルギー定格（UIS）で、TO-220、TO-263、TO-220F、TO-247ACパッケージからお選びいただけます。
詳細

結果: 31
選択 画像 部品番号
 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
パッケージ化
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 600V
データシート
非在庫リードタイム 30 週間
¥626.2
最低： 800
複数： 800
Si
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
データシート
非在庫リードタイム 30 週間
カットテープ
¥1,097.9
¥583
¥533.2
¥495
¥476.7
リール
¥470.1
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 225 mOhms 30 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
データシート
非在庫リードタイム 30 週間
リール
¥534.8
最低： 3,000
複数： 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 153 mOhms 30 V 4 V 55 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement Reel
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
データシート
非在庫リードタイム 30 週間
リール
¥583
最低： 3,000
複数： 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 650 V 20.3 A 148 mOhms 30 V 4 V 66 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel
Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
データシート
非在庫リードタイム 30 週間
リール
¥637.8
最低： 3,000
複数： 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK-8x8-4 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 117 mOhms 30 V 4 V 77 nC - 55 C + 150 C 202 W Enhancement Reel
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
データシート
非在庫リードタイム 30 週間
¥538.2
最低： 1,000
複数： 1,000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 156 mOhms 20 V 4 V 81 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Tube