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NTTFS6H850NLTAG

Name: onsemi NTTFS6H850NLTAG
Brand: onsemi
SKU: 863-NTTFS6H850NLTAG
Price: 302 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

863-NTTFS6H850NLTAG

メーカ番号：

NTTFS6H850NLTAG

メーカ：

onsemi

詳細：

MOSFET 80V 108A 8.66m?Ohm Single N-Channel

データシート:

NTTFS6H850NLTAG データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	WDFN-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	80 V
Id - 連続ドレイン電流:	64 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	8.6 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2 V
Qg - ゲート電荷:	26 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	73 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	onsemi
構成:	Single
下降時間:	5 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	64.1 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	21 ns
シリーズ:	NTTFS6H850NL
工場パックの数量:	1500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	26 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	9 ns
単位重量:	29.570 mg

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選択した属性: 0

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データシート

NTTFS6H850NLTAG データシート

PCN

コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: マレーシア
組立原産国:: マレーシア
拡散国:: 日本

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

Trench8 MOSFET

Onsemi Trench8 MOSFETは、電力変換アプリケーションで使用されるMOSFETの主な性能指数 (FOM) である、低い最大オン抵抗 (R_DS(ON)) 、超低ゲート充電 (Q_g) 、低 (Q_g) ×R_DS(ON) を特徴としています。Trench8 MOSFETは、T6 テクノロジーに基づいて最適化されたスイッチング性能を特徴とし、Trench6シリーズに比べてQ_g とQ_oss が35%～40%削減されています。Onsemi Trench8 MOSFETは、設計の柔軟性を高めるために、幅広いパッケージタイプで使用できます。AEC-Q101認定およびPPAP対応オプションは、車載アプリケーションに利用できます。これらのデバイスの多くは、自動光学検査（AOI）が可能になるフランクウェッタブル・パッケージで販売されています。

NTTFS6H850NLシングルNチャンネルパワーMOSFET

onsemi NTTFS6H850NLシングルNチャンネルパワーMOSFETに、ドレイン-ソースON抵抗と静電容量が低く抑えられており、ドライバ損失を最小限にします。NTTFS6H850NL MOSFETは、コンパクトで効率的な設計を目的に小型3.3mm x 3.3mmフットプリントになっており、無鉛でRoHSに準拠しています。