NVH4L020N090SC1

onsemi
863-NVH4L020N090SC1
NVH4L020N090SC1

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 450

在庫：
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工場リードタイム：
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450を超える数量には、最低発注量条件が適用されます。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥5,775.3 ¥5,775
¥4,665.7 ¥46,657
¥4,433.2 ¥531,984
510 見積り

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
TO-247-4
EliteSiC
ブランド: onsemi
パッケージ化: Tube
製品タイプ: SiC MOSFETS
シリーズ: NVH4L020N090SC1
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
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選択した属性: 0

データシート

PCN

コンプライアンスコード
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290095
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
中国
拡散国:
韓国
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

M2 EliteSiC MOSFET

onsemi M2 EliteSiC MOSFETは、650V、750V、1200Vから電圧を選択できます。onsemi M2 MOSFETには、D2PAK7、H-PSOF8L、TDFN4 8x8、TO-247-3LD、TO-247-4LDなど、さまざまなパッケージがあります。MOSFETを採用すると、設計と実装に柔軟性が得られます。加えて、M2 EliteSiC MOSFETは、+22V/-8Vの最大ゲート-ソース間電圧、低RDS（on）、高い短絡耐量（SCWT）が特長です。

900V EliteSiC（シリコンカーバイド）MOSFET

onsemi 900V EliteSiC（シリコンカーバイド）MOSFETには、シリコンよりも優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現する技術が採用されています。また、低ON抵抗およびコンパクトなチップサイズによって、低容量とゲート電荷が保証されます。その結果、さらなる高効率、高速動作周波数、電力密度の向上、EMIの低減、システムサイズの削減といったメリットがあります。

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