FDMC8x N-Ch Gate PowerTrench® MOSFETs

onsemi FDMC8x N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that incorporates shielded gate technology. This process has been optimized for the on-state resistance and yet maintains superior switching performance. FDMC8x MOSFETs are designed for use in DC-DC conversion applications.

結果: 29
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム パッケージ化
onsemi MOSFET 40V N Chan Shielded Gate Power Trench
6,000予想2026/11/13
最低: 1
複数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT Power-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 3.1 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 80 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement PowerTrench Power Clip Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 40V N-Channel PowerTrench
3,000予想2027/06/04
最低: 1
複数: 1
最大: 370
: 3,000

Si SMD/SMT Power-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 14 A 5.8 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 15 nC, 30 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 100/20V N-Chan PowerTrench
269予想2026/09/18
最低: 1
複数: 1
最大: 290
: 3,000

Si SMD/SMT Power-33-8 N-Channel 1 Channel 100 V 20 A 32.8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 150 C 2.3 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET 非在庫リードタイム 30 週間

Si SMD/SMT Power-33-8 N-Channel 1 Channel 40 V 7 A 26 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 19 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement Reel