シールドゲートPowerTrench® MOSFET

OnsemiシールドゲートPowerTrench®MOSFETは、オン状態抵抗を最小化し、クラス最高のソフト・ボディ・ダイオードにより優れたスイッチング性能を維持するNチャネルMOSFETです。これらのMOSFETは、他のMOSFETに比べてより低いQ_rr を提供します。OnsemiシールドゲートPowerTrench MOSFETは、スイッチングノイズ/電磁干渉 (EMI) を低減します。これらのMOSFETは、伝導損失を最小化する低 R_{DS (on)} 、ドライバ損失を最小化する低いQ_G と静電容量が特徴です。シールドゲートPowerTrench MOSFETは、コンパクトな設計のために5mm x 6mm寸法の小型PQFN8パッケージで提供されます。代表的なアプリケーションには、同期整流(SR) 、AC/DCおよびDC/DC電源、AC/DCアダプタ (USB電源供給) SR、負荷スイッチがあります。