SiC MOSFET – Mouser 日本

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RoHS

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SCT3x第3世代SiC Trench MOSFET

ROHM SCT3x第3世代SiC Trench MOSFETには、プラナータイプのSiC MOSFETに比べてオン抵抗を50%および入力容量を30%低減している、独自のトレンチゲート構造が活用されています。これによって、スイッチング損失を大幅に低減し、スイッチング速度を高速化させることで、さまざまな装置の電力損失を低減しつつ効率運転を向上させています。これらのデバイスは、650Vおよび1200Vバージョンでご用意があります。

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結果: 31

適用されたフィルタ:

取り付け様式

パッケージ/ケース

Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧

Id - 連続ドレイン電流

Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース

Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧

Qg - ゲート電荷

最低動作温度

Pd - 電力損失

認証

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選択	画像	部品番号	メーカ	説明	データシート	在庫状況	価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする	数量	RoHS	ECADモデル	取り付け様式	パッケージ/ケース	チャンネル数	Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧	Id - 連続ドレイン電流	Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース	Vgs - ゲート-ソース間電圧	Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧	Qg - ゲート電荷	最低動作温度	最高動作温度	Pd - 電力損失	チャネルモード	認証
	SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS SCT3120ALGC11 ROHM Semiconductor 1: ¥1,807.2 394在庫	メーカ部品番号 SCT3120ALGC11 Mouser 部品番号 755-SCT3120ALGC11	ROHM Semiconductor	SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS ROHM Semiconductor rohm sct3x sic power mosfets についての詳細を表示	データシート	394在庫	¥1,807.2 ¥983.3 ¥910.2 ¥893.6	最低： 1 複数： 1			Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	21 A	156 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	38 nC		+ 175 C	103 W	Enhancement
	SiC MOSFET N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC SCT3080ALGC11 ROHM Semiconductor 1: ¥2,255.6 177在庫 900予想2027/03/22	メーカ部品番号 SCT3080ALGC11 Mouser 部品番号 755-SCT3080ALGC11	ROHM Semiconductor	SiC MOSFET N-Ch 650V 30A Silicon Carbide SiC ROHM Semiconductor rohm sct3x sic power mosfets についての詳細を表示	データシート	177在庫 900予想2027/03/22	¥2,255.6 ¥1,323.8 ¥1,209.2 ¥1,187.6 ¥1,182.6	最低： 1 複数： 1			Through Hole	TO-247N-3	1 Channel	650 V	30 A	104 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	48 nC		+ 175 C	134 W	Enhancement
	SiC MOSFET 1200V 17A 103W SIC 160mOhm TO-247N SCT3160KLHRC11 ROHM Semiconductor 1: ¥3,144.3 71在庫	メーカ部品番号 SCT3160KLHRC11 Mouser 部品番号 755-SCT3160KLHRC11	ROHM Semiconductor	SiC MOSFET 1200V 17A 103W SIC 160mOhm TO-247N ROHM Semiconductor rohm aec q101 sic power mosfets についての詳細を表示	データシート	71在庫	¥3,144.3 ¥1,850.4 ¥1,705.8 ¥1,700.9	最低： 1 複数： 1			Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	17 A	208 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	42 nC		+ 175 C	103 W	Enhancement	AEC-Q101
	SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS SCT3160KLGC11 ROHM Semiconductor 1: ¥2,054.7 4,950取寄中	メーカ部品番号 SCT3160KLGC11 Mouser 部品番号 755-SCT3160KLGC11	ROHM Semiconductor	SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS ROHM Semiconductor rohm sct3x sic power mosfets についての詳細を表示	データシート	4,950取寄中注文の出荷日メーカ番号： SCT3160KLGC11 在庫： 0 取寄中: 3,150 予想2026/12/21 1,800 予想2027/01/04 工場リードタイム： 27 週間	¥2,054.7 ¥1,111.2 ¥1,048.1 ¥996.6	最低： 1 複数： 1			Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	17 A	208 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	42 nC		+ 175 C	103 W	Enhancement
	SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS SCT3040KLGC11 ROHM Semiconductor 1: ¥7,160.6 446予想2027/02/08	メーカ部品番号 SCT3040KLGC11 Mouser 部品番号 755-SCT3040KLGC11	ROHM Semiconductor	SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS ROHM Semiconductor rohm sct3x sic power mosfets についての詳細を表示	データシート	446予想2027/02/08	¥7,160.6 ¥5,017.9	最低： 1 複数： 1			Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	55 A	52 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	107 nC	- 55 C	+ 175 C	262 W	Enhancement
	SiC MOSFET 650V 93A 339W SIC 22mOhm TO-247N SCT3022ALHRC11 ROHM Semiconductor 450: ¥10,444.4 非在庫リードタイム 27 週間	メーカ部品番号 SCT3022ALHRC11 Mouser 部品番号 755-SCT3022ALHRC11	ROHM Semiconductor	SiC MOSFET 650V 93A 339W SIC 22mOhm TO-247N ROHM Semiconductor rohm aec q101 sic power mosfets についての詳細を表示	データシート	非在庫リードタイム 27 週間	¥10,444.4	最低： 450 複数： 450			Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	93 A	28.6 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	133 nC	- 55 C	+ 175 C	339 W	Enhancement	AEC-Q101