NTH4L060N065SC1

onsemi
863-NTH4L060N065SC1
NTH4L060N065SC1

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 420

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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,685.9 ¥1,686
¥1,179.3 ¥11,793
¥1,043.1 ¥125,172
¥968.4 ¥493,884

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
33 A
70 mOhms
- 18 V, + 18 V
4.3 V
74 nC
- 55 C
+ 175 C
88 W
Enhancement
EliteSiC
ブランド: onsemi
構成: Single
下降時間: 11 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 12 S
パッケージ化: Tube
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 14 ns
シリーズ: NTH4L060N065SC1
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
標準電源切断遅延時間: 24 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 11 ns
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選択した属性: 0

データシート

PCN

コンプライアンスコード
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
中国
拡散国:
韓国
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

EliteSiC MOSFETとのペアリングゲートドライバ

EV充電、エネルギー・ストレージ、無停電電力システム(UPS) 、太陽光発電のようなエネルギー・インフラのアプリケーションは、数百キロワット、メガワットまでシステム電力レベルを押し上げています。これらのハイパワー・アプリケーションは、ハーフブリッジ、フルブリッジ、そしてインバータとBLDCに対して最大6つのスイッチまでの3相トポロジ負荷サイクルを採用しています。システム設計者は電力レベルとスイッチング速度に応じて、アプリケーション要件に最適なシリコン、IGBT、SiCなどのさまざまなスイッチ技術を検討します。

M2 EliteSiC MOSFET

onsemi M2 EliteSiC MOSFETは、650V、750V、1200Vから電圧を選択できます。onsemi M2 MOSFETには、D2PAK7、H-PSOF8L、TDFN4 8x8、TO-247-3LD、TO-247-4LDなど、さまざまなパッケージがあります。MOSFETを採用すると、設計と実装に柔軟性が得られます。加えて、M2 EliteSiC MOSFETは、+22V/-8Vの最大ゲート-ソース間電圧、低RDS（on）、高い短絡耐量（SCWT）が特長です。

650Vシリコンカーバイド（SiC）MOSFET

onsemi 650Vシリコンカーバイド（SiC）MOSFETには、シリコンに比べて優れたスイッチング性能とより高い信頼性を実現しています。これらの650V SiC MOSFETは低ON抵抗およびコンパクトなチップサイズで、低容量とゲート電荷を保証します。高効率、高速動作周波数、電力密度の向上、EMIの低減、システムサイズの削減などのメリットがあります。

NTH4L060N065SC1シリコンカーバイド（SiC）MOSFET

Onsemi NTH4L060N065SC1 シリコンカーバイド（SiC）MOSFETは、優れたスイッチング性能と高い信頼性を提供します。このMOSFETは 、オン抵抗が低く、チップサイズがコンパクトなため、静電容量とゲート電荷が低く抑えられています。その結果、最高の効率性、高速動作周波数、電力密度の向上、EMIの低減、システムサイズの削減といったメリットがあります。

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