MDmesh K5パワーMOSFET

STMicroelectronicsのMDmesh K5シリーズは、スーパージャンクション構造を採用した超高電圧MOSFETであり、業界最高レベルのRDS(on)と性能指標を備えており、電力密度と効率の向上を実現します。代表的な用途としては、LED照明、計測機器、太陽光発電用インバータ、三相補助電源、溶接、および自動車用バッテリ管理などが挙げられます。

結果: 139
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード 認証 トレードネーム パッケージ化
STMicroelectronics MOSFET N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package 非在庫リードタイム 36 週間
¥674.4
¥441.8
¥328.9
¥275.7
¥257.5
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 8 A 600 mOhms 30 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 0.73 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package 非在庫リードタイム 36 週間
¥215.9
最低: 1,000
複数: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 900 mOhms 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 950 V, 280 mOhm typ., 17.5 A MDmesh K5 Power MOSFET i 非在庫リードタイム 36 週間
リール
¥646.1
最低: 1,000
複数: 1,000
: 1,000
Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 330 mOhms 30 V 5 V 48 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 2.1 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VHV 非在庫リードタイム 36 週間
リール
¥112.3
最低: 3,000
複数: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-VHV-8 N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 2.1 Ohms 30 V 3 V 4 nC - 55 C + 150 C 38 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V .95Ohm 6A MDmesh K5 非在庫リードタイム 36 週間
¥534.8
¥269.1
¥242.5
¥196
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 1.2 Ohms 30 V 4 V 13.4 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.76 Ohm 6 A MDmesh K5 非在庫リードタイム 36 週間
¥192.7
最低: 1,000
複数: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 950 mOhms 30 V 4 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package 非在庫リードタイム 36 週間
¥938.5
¥614.6
¥458.4
¥385.4
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 6 A 1.3 Ohms 30 V 3 V 21.5 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protected 非在庫リードタイム 36 週間
¥128.4
最低: 2,000
複数: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2.5 A 2.8 Ohms 30 V 4 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 2.9 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package 非在庫リードタイム 36 週間
¥240.8
最低: 1,000
複数: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 3 A 2.9 Ohms 30 V 3 V 12.5 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package 非在庫リードタイム 36 週間
¥158.5
最低: 1,000
複数: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.5 Ohms 30 V 3 V 5 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 6 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-3PF package 非在庫リードタイム 36 週間
¥204.3
最低: 900
複数: 300
Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 2 A 6 Ohms 30 V 3 V 10 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in an I2PAK package 非在庫リードタイム 52 週間
¥179.4
最低: 1,000
複数: 1,000
Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4.5 A 1.6 Ohms 30 V 4 V 7.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a IPAK package 非在庫リードタイム 36 週間
¥165.1
最低: 3,000
複数: 3,000
Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5 A 1.15 Ohms 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V .28Ohm typ 17.5A Zener-protect 非在庫リードタイム 36 週間
¥696
最低: 600
複数: 600
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 17.5 A 330 mOhms 30 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Tube