M2 EliteSiC MOSFET

onsemi M2 EliteSiC MOSFETは、650V、750V、1200Vから電圧を選択できます。onsemi M2 MOSFETには、D2PAK7、H-PSOF8L、TDFN4 8x8、TO-247-3LD、TO-247-4LDなど、さまざまなパッケージがあります。MOSFETを採用すると、設計と実装に柔軟性が得られます。加えて、M2 EliteSiC MOSFETは、+22V/-8Vの最大ゲート-ソース間電圧、低RDS（on）、高い短絡耐量（SCWT）が特長です。

結果: 46
選択 画像 部品番号
 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式
パッケージ/ケース
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
認証
トレードネーム
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V
データシート
800在庫
最低： 1
複数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V
データシート
724在庫
最低： 1
複数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 30 A 105 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 50 nC - 55 C + 175 C 110 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
データシート
424在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 31 A 105 mOhms - 5 V, + 18 V 4.3 V 50 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
データシート
390在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 163 A 12 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 643 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
データシート
448在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 99 A 19 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
データシート
398在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 66 A 32 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 291 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
データシート
445在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 75MOHM
データシート
366在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 5 V, + 18 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 74 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET 60MOHM
データシート
204在庫
最低： 1
複数： 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V
データシート
1,547在庫
最低： 1
複数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 37 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 59 nC - 55 C + 175 C 139 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS 60MOHM 900V
データシート
465在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 900 V 44 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET 20MOHM 900V
データシート
194在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 900 V 118 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 196 nC - 55 C + 175 C 503 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
データシート
380在庫
最低： 1
複数： 1

TO-247-4 EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
データシート
36在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
データシート
8在庫
1,350取寄中
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 163 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 643 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET 20MOHM 900V
データシート
279在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 900 V 112 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 200 nC - 55 C + 175 C 477 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
データシート
444在庫
最低： 1
複数： 1

TO-247-4 EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
データシート
864在庫
最低： 1
複数： 1
TO-247-4 EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 750V
データシート
1,800工場在庫あり
納期・詳細を要確認
最低： 450
複数： 450

TO-247-4 EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
データシート
3,600工場在庫あり
納期・詳細を要確認
最低： 450
複数： 450

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM
データシート
非在庫リードタイム 53 週間
最低： 450
複数： 450

Through Hole TO-247-4 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 10 V, + 19 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC