600V MDmesh™ DM6スーパージャンクションMOSFET

STMicroelectronics 600V MDmesh™ DM6スーパージャンクションMOSFETは、ZVS、フルブリッジ、ハーフブリッジ技術用に最適化されています。MDmesh DM6パワーMOSFETには、600Vの絶縁破壊電圧が備わっており、最適化された静電容量特性とライフタイム消費プロセスが組み合わされています。MDmesh DM6 MOSFETには、低ゲート電荷(Qg)、非常に低い回復電荷(Qrr)、低回復時間(trr)、優れたRDS(on)/エリアが備わっています。

結果: 9
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム パッケージ化
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET 455在庫
¥1,395.2
¥757.4
¥636.2
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 71 mOhms 25 V 3.25 V 54 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea 580在庫
¥1,330.5
¥832.2
¥682.7
¥647.8
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 71 mOhms 25 V 3.25 V 54 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 2,632在庫
カットテープ
¥1,355.4
¥842.1
¥719.2
¥647.8
¥591.3
リール
¥579.7
最低: 1
複数: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms 25 V 3.25 V 44 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package 265在庫
¥1,685.9
¥1,156.1
¥953.4
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 72 A 36 mOhms 25 V 3.25 V 117 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 165 mOhm typ., 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package 1,186在庫
¥808.9
¥416.9
¥325.6
¥308.9
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 195 mOhms 25 V 3.25 V 24 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 165 mOhm typ., 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET in TO-220FP package 非在庫リードタイム 36 週間
¥294
最低: 1,000
複数: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 195 mOhms 25 V 3.25 V 24 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package 非在庫リードタイム 36 週間
¥993.3
最低: 600
複数: 600
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 72 A 36 mOhms 25 V 3.25 V 106 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead 非在庫リードタイム 36 週間
¥2,249
¥1,642.7
¥1,368.7
¥1,219.2
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 63 A 41 mOhms 25 V 3.25 V 106 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package 非在庫リードタイム 36 週間
¥802.3
最低: 600
複数: 600
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 62 A 42 mOhms 25 V 3.25 V 99 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement MDmesh Tube