パワーMOSFET

YAGEO XSemi パワーMOSFETは、低オン抵抗、高効率、優れたコスト効率を実現する高度な処理技術を採用しています。YAGEO XSemi パワーMOSFETは、アプリケーションのニーズに合わせた各種パッケージがあります。デバイスに使用できるパッケージは、商業および工業アプリケーションに広く使用されています。

結果: 79
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード パッケージ化
YAGEO XSemi MOSFET N-CH 100V 48. 5A TO-251
4,000予想2026/12/28
¥209.3
¥90
¥80.1
¥65.9
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 100 V 48.5 A 11 mOhms 20 V 4 V 35 nC - 55 C + 150 C 1.13 W Enhancement Tube
YAGEO XSemi MOSFET N-CH 100V 8.1 A TO-252
2,000予想2027/03/02
カットテープ
¥108
¥48.3
¥42.5
¥40.4
リール
¥24.4
最低: 1
複数: 1
: 3,000
Si SMD/SMT TO-252-3/2 N-Channel 1 Channel 100 V 8.1 A 135 mOhms 20 V 3 V 11 nC - 55 C + 150 C 2 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFET P-CH -30V -3. 9A SOT-23S
2,955予想2026/10/27
カットテープ
¥58.1
¥25.2
¥22.1
¥16.3
リール
¥11.3
最低: 1
複数: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23S-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.9 A 55 mOhms 20 V 3 V 6.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFET N-CH 600V 0.0 53A SOT-23
5,993予想2027/03/03
カットテープ
¥74.7
¥33.1
¥28.9
¥21.6
リール
¥16.1
¥13.8
最低: 1
複数: 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 600 V 53 mA 72 Ohms 20 V 2.6 V 2.3 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel