CoolMOS™7スーパージャンクションMOSFET

Infineon Technologies CoolMOS™ 7 スーパージャンクションMOSFETは、エネルギー効率、電力密度、使いやすさのための新基準を設定します。CoolMOS 7技術は、特定のアプリケーション向けに最適化されており、革新的なパッケージ概念とさまざまな技術が搭載されています。CoolMOS 7 MOSFETは、電気自動車の充電ステーションを、より高い出力でさらなる小型化を実現し、自動車充電の高速化を図る際に適しています。CoolMOS 7のおかげで、新世代のアダプタと充電器は、さらなる小型化、軽量、効率性を実現しています。CoolMOS 7を使用するとエンジニアは、再生可能エネルギーシステムを安価で効率的にできます。

結果: 188
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム パッケージ化
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 3,752在庫
最低: 1
複数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 218 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 40 C + 150 C 59 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 446在庫
9,000予想2027/03/18
最低: 1
複数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 300 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 40 C + 150 C 7 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 2,870在庫
9,000取寄中
最低: 1
複数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 490 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 9 nC - 40 C + 150 C 7 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 4,613在庫
最低: 1
複数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 700 V 4 A 1.15 Ohms - 16 V, 16 V 2.5 V 4.7 nC - 40 C + 150 C 6.2 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 1,475在庫
最低: 1
複数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 700 V 3 A 1.64 Ohms - 16 V, 16 V 2.5 V 3.8 nC - 40 C + 150 C 6 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 3,586在庫
24,000取寄中
最低: 1
複数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 800 V 1.5 A 3.8 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 4 nC - 55 C + 150 C 6 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 28在庫
7,000取寄中
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 67 nC - 55 C + 150 C 164 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 70在庫
2,000取寄中
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 77 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 117 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 583在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 120 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 519在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 26 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 95 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 860在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 155 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 24 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 712在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 237 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 18 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 10在庫
500予想2026/11/19
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 99在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 84 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 11A TO220-3 500在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 199 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 28在庫
2,000予想2027/03/04
最低: 1
複数: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 44 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 480在庫
1,680取寄中
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 287在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 26 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 95 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 184在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 65 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 58在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 58 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 700V 75A TO247-4 73在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 215 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 76在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 67 nC - 55 C + 150 C 164 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 240在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 77 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 117 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 113在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 50 C + 150 C 101 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 25在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement CoolMOS Tube