CoolMOS™7スーパージャンクションMOSFET

Infineon Technologies CoolMOS™ 7 スーパージャンクションMOSFETは、エネルギー効率、電力密度、使いやすさのための新基準を設定します。CoolMOS 7技術は、特定のアプリケーション向けに最適化されており、革新的なパッケージ概念とさまざまな技術が搭載されています。CoolMOS 7 MOSFETは、電気自動車の充電ステーションを、より高い出力でさらなる小型化を実現し、自動車充電の高速化を図る際に適しています。CoolMOS 7のおかげで、新世代のアダプタと充電器は、さらなる小型化、軽量、効率性を実現しています。CoolMOS 7を使用するとエンジニアは、再生可能エネルギーシステムを安価で効率的にできます。

結果: 188
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム パッケージ化

Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 108在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 280 mOhms 30 V 3 V 36 nC - 50 C + 150 C 101 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
220,050取寄中
最低: 1
複数: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 700 V 12.5 A 300 mOhms 16 V 2.5 V 16.4 nC - 40 C + 150 C 59.5 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 86在庫
500予想2026/11/26
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
1,700予想2027/04/29
最低: 1
複数: 1
: 1,700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 50 mOhms 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
3,400予想2026/12/10
最低: 1
複数: 1
: 1,700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 190 mOhms 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
10,118予想2027/01/28
最低: 1
複数: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 305 mOhms 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
12,477予想2027/04/29
最低: 1
複数: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 700 V 6 A 740 mOhms 16 V 2.5 V 6.8 nC - 40 C + 150 C 30.5 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
14,898予想2027/05/06
最低: 1
複数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12.5 A 300 mOhms 16 V 2.5 V 16.4 nC - 40 C + 150 C 7.2 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
2,818取寄中
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms 20 V 3 V 67 nC - 55 C + 150 C 164 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
479取寄中
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 109 A 17 mOhms 20 V 3 V 240 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
943取寄中
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 58 mOhms 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
479取寄中
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 84 mOhms 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
880取寄中
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
2,500予想2027/04/22
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12.5 A 300 mOhms 16 V 2.5 V 16.4 nC - 40 C + 150 C 26.5 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
1,000予想2026/12/10
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 305 mOhms 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 11A TO220-3
286予想2027/04/15
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 199 mOhms 20 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
500予想2027/08/26
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.4 Ohms 30 V 3 V 10 nC - 50 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 1.7 Ohms 20 V 2.5 V 9 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 非在庫リードタイム 8 週間
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 144 mOhms 20 V 3.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 非在庫リードタイム 15 週間
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 310 mOhms 30 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS C7 Power Trans; 225mOhm 非在庫リードタイム 22 週間
最低: 500
複数: 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 199 mOhms 20 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 非在庫リードタイム 39 週間
最低: 3,000
複数: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 125 mOhms 20 V 3 V 34 nC - 40 C + 150 C 103 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS 非在庫リードタイム 39 週間
最低: 3,000
複数: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 62 mOhms 20 V 3 V 64 nC - 40 C + 150 C 169 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS 非在庫リードタイム 39 週間
最低: 3,000
複数: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 70 mOhms 20 V 3 V 64 nC - 40 C + 150 C 169 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS 非在庫リードタイム 39 週間
最低: 3,000
複数: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 88 mOhms 20 V 3 V 45 nC - 40 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Reel