STripFET™ パワーMOSFET

STripFET™ パワーMOSFETは、新しいゲート構造を持つSTマイクロエレクトロニクス独自のSTripFET™技術の最新の改良効果を享受する、強化版MOSFETです。改善の結果、STripFET™パワーMOSFETは、モーター制御、UPS、DC/DCコンバータ、誘導加熱蒸発器、太陽光発電など、車載用・産業用スイッチングアプリケーションに要求される高電流と低RDS(on)を実現します。STマイクロエレクトロニクス STripFET™パワーMOSFETは、非常に低いスイッチングゲート電荷、優れたアバランシェ耐性、低いスイッチングゲートドライブの電力損失、高出力密度を備えます。STripFET™パワーMOSFETは、業界最低レベルのRDS(on) 30V〜150VパワーMOSFETを提供しています。
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結果: 104
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
認証
トレードネーム
パッケージ化
STMicroelectronics MOSFET N-channel 60 V, 2,1 Ohm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 packag
データシート
非在庫リードタイム 22 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 120 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 100 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 100 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
データシート
リードタイム 22 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 180 nC - 55 C + 175 C 315 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Tube
STMicroelectronics MOSFET LGS LV MOSFET
データシート
非在庫リードタイム 20 週間
最低： 1,000
複数： 1,000
: 1,000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 115 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101 STripFET Reel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp
データシート
非在庫リードタイム 15 週間
最低： 1,000
複数： 1,000
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 55 V 80 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 150 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel