結果: 129
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード 認証 トレードネーム パッケージ化
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 30 Volt 90 Amp 非在庫リードタイム 15 週間
最低: 1,000
複数: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 30 V 90 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V - 65 C + 150 C 150 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET Dual N-CH 30 V 10 A SO-8 STri 非在庫リードタイム 16 週間
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 2 Channel 30 V 10 A 21 mOhms - 22 V, 22 V 1 V 4.6 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement STripFET Reel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp 非在庫リードタイム 15 週間
最低: 1,000
複数: 1,000
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 55 V 80 A 8 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 150 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Reel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch, 55V-2.9ohms 120A 非在庫リードタイム 15 週間
最低: 1,000
複数: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 55 V 120 A 3.7 mOhms - 18 V, 18 V 1 V 80 nC - 55 C + 175 C 312 W Enhancement AEC-Q100 STripFET Tube