NTTFS012N10MDTAG

onsemi
863-NTTFS012N10MDTAG
NTTFS012N10MDTAG

メーカ：

詳細：
MOSFET PTNG 100V LOW Q 12MOHM N-FET U8FL

データシート:
ECADモデル:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
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価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥395.3 ¥395
¥254.1 ¥2,541
¥172.7 ¥17,270
¥137 ¥68,500
¥115.8 ¥115,800
完全リール（1500の倍数で注文）
¥115.8 ¥173,700

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
WDFN-8
PowerTrench
Reel
Cut Tape
ブランド: onsemi
製品タイプ: MOSFETs
シリーズ: NTTFS012N10MD
工場パックの数量: 1500
サブカテゴリ: Transistors
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選択した属性: 0

データシート

PCN

コンプライアンスコード
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
韓国
組立原産国:
マレーシア
拡散国:
韓国
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

NTTFS012N10MD NチャンネルMOSFET

Onsemi NTTFS012N10MD NチャンネルMOSFETは、シールドゲートテクノロジーが組み込まれている高度PowerTrench® プロセスを使用して設計されています。このプロセスは、オン状態抵抗RDS (on) を最小限に抑えるように最適化されており、導通損失を最小限に抑えながらも優れたスイッチング性能を維持できます。NTTFS012N10MD MOSFETは、ドライバ損失を最小限に抑える低QG と静電容量、低QRR 、ソフトリカバリボディダイオード、軽負荷効率を向上させる低QOSS が特徴です。代表的なアプリケーションには、絶縁DC/DCコンバータでの一次スイッチ、AC/DCアダプタ、DC/DCおよびAC/DCでの同期整流、BLDCモータ、負荷スイッチ、ソーラーインバータがあります。

PowerTrench技術

Onsemi  PowerTrenchテクノロジーは、 PowerTrenchテクノロジー、特にパワーエレクトロニクスにおける画期的な進歩を意味する T6 から T10 への 進歩を象徴しています。onsemiによって開発されたPowerTrench MOSFETには、さまざまなアプリケーション全体で強化された効率性と性能が備わっています。T6/T8からT10への移行により、オン抵抗とスイッチング性能が大幅に向上しており、エネルギー効率に優れた設計に不可欠なものとなります。

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