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GP2T020A120H

Name: SemiQ GP2T020A120H
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP2T020A120H
Price: 3662 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

148-GP2T020A120H

メーカ番号：

GP2T020A120H

メーカ：

SemiQ

詳細：

SiC MOSFET 1200V, 18mOhm, TO-247-4L MOSFET

データシート:

GP2T020A120H データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	SemiQ
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-4
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Id - 連続ドレイン電流:	119 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	18 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4 V
Qg - ゲート電荷:	216 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	564 W
チャネルモード:	Enhancement
ブランド:	SemiQ
構成:	Single
下降時間:	19 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	26 S
パッケージ化:	Tube
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	5 ns
シリーズ:	GP2T020A120
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタ極性:	N-Channel
標準電源切断遅延時間:	38 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	17 ns

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選択した属性: 0

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データシート

GP2T020A120H データシート (PDF)

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: フィリピン
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

GP2T020A120H 1200V SiC MOSFET

SemiQ GP2T020A120H 1200V SiC MOSFET can be combined with silicon carbide Schottky diodes to achieve optimal performance without the trade-offs made with Silicon devices. This MOSFET offers reduced switching losses, higher efficiency, reduced heat sink size, and increased power density. The GP2T020A120H MOSFET features high-speed switching, longer creepage distance, 564W power dissipation, and 800mJ single pulse avalanche energy. This MOSFET is ideal for designers working on EV charging, industrial controls, and HVAC systems. Typical applications include power factor correction, DC-DC converter primary switching, and synchronous rectification.