TRENCHSTOP™5 H5（High Speed 5）IGBT

Infineon TRENCHSTOP™5 H5（High Speed5) IGBTは、高速で、30kHzより速いスイッチングが必要なアプリケーション用に究極の効率性をもって設計されています。High Speed 5 IGBTは、RAPID1高速およびソフトアンチパラレルダイオードが用いられたTRENCHSTOP™ 5技術が特徴です。H5 IGBTは、ハードスイッチングと共振トポロジでクラス最高の効率性を提供し、旧世代のIGBT用のプラグアンドプレイ交換ができます。一般的なアプリケーションには、UPS、溶接コンバータ、ソーラー・ストリング・インバータ、中～高範囲スイッチング周波数コンバータがあります。

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技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS
データシート
1,425在庫
最低： 1
複数： 1
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
データシート
1,280在庫
最低： 1
複数： 1
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
データシート
615在庫
最低： 1
複数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
データシート
279在庫
最低： 1
複数： 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES
データシート
382在庫
最低： 1
複数： 1
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES
データシート
396在庫
最低： 1
複数： 1
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT モジュール 650 V, 40 A 3-level IGBT module
データシート
8在庫
最低： 1
複数： 1

IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBT 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
データシート
480在庫
最低： 1
複数： 1
IGBT Transistors Si Through Hole
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES
データシート
非在庫リードタイム 39 週間
最低： 1,000
複数： 1,000
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES
データシート
非在庫リードタイム 39 週間
最低： 1,000
複数： 1,000
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES
データシート
非在庫リードタイム 39 週間
最低： 1,000
複数： 1,000
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES
データシート
非在庫リードタイム 39 週間
最低： 1,000
複数： 1,000
: 1,000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode
データシート
非在庫リードタイム 52 週間
最低： 1
複数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBT 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
データシート
非在庫リードタイム 52 週間
最低： 240
複数： 240

IGBT Transistors Si Through Hole
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
データシート
非在庫リードタイム 52 週間
最低： 1
複数： 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4