GP2T080A120U

Name: SemiQ GP2T080A120U
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP2T080A120U
Price: 1282 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

148-GP2T080A120U

メーカ番号：

GP2T080A120U

メーカ：

SemiQ

詳細：

SiC MOSFET

データシート:

GP2T080A120U データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	SemiQ
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-3
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	1.2 kV
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	80 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.8 V
Qg - ゲート電荷:	58 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	188 W
チャネルモード:	Enhancement
ブランド:	SemiQ
構成:	Single
下降時間:	10 ns
パッケージ化:	Tube
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	6 ns
シリーズ:	GP2T080A120U
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタ極性:	N-Channel
標準電源切断遅延時間:	16 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	10 ns

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データシート

GP2T080A120U データシート (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: フィリピン
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

GP2T080A120U 1200V SiC N-Channel MOSFET

SemiQ GP2T080A120U 1200V SiC N-Channel MOSFET offers low capacitance and high system efficiency. This MOSFET features high-speed switching, increased power density, reduced heat-sink size, and a reliable body diode. The GP2T080A120U 1200V SiC N-Channel MOSFET parts are tested to above 1400V and avalanche tested to 200mJ. This MOSFET can be used in the applications such as solar inverters, EV charging stations, induction heating and welding, and motor drivers.