AFGHL50T65SQDC

onsemi
863-AFGHL50T65SQDC
AFGHL50T65SQDC

メーカ：

詳細：
IGBT Hybrid iGBT 650V 50A FS4 with SiC-SBD

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 834

在庫：
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,958.3 ¥1,958
¥1,230.8 ¥12,308
¥1,016.5 ¥121,980
¥1,004.9 ¥512,499
¥933.5 ¥952,170

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: IGBT
RoHS:  
REACH - SVHC:
SiC
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
100 A
268 W
- 55 C
+ 175 C
AFGHL50T65SQDC
AEC-Q101
Tube
ブランド: onsemi
連続コレクタ電流 IC 最大値: 100 A
ゲート - エミッタ リーク電流: 400 nA
製品タイプ: IGBT Transistors
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: IGBTs
トレードネーム: EliteSiC
単位重量: 7.326 g
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選択した属性: 0

データシート

PCN

コンプライアンスコード
JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
中国
拡散国:
韓国
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

AFGHL50T65SQDCハイブリッドIGBT

onsemi AFGHL50T65SQDCハイブリッドIGBTは、低導通損失とスイッチング損失の両方が備わっている最適な性能を発揮します。AFGHL50T65SQDCは、50Aの電流および650Vのコレクタ・エミッタ電圧が特徴です。このデバイスは、特にトーテム・ポール・リッジレスPFCとインバータをはじめとする、さまざまなアプリケーションで効率性の高い動作に最適です。AFGHL50T65SQDCハイブリッドIGBTは、車載用アプリケーションを対象としたAEC-Q100の認定を受けています。

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