結果: 8
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 パッケージ/ケース 取り付け様式 構成 コレクタ - エミッタ電圧 VCEO 最大値 コレクタ - エミッタ飽和電圧 最大ゲート エミッタ電圧 25 Cでのコレクターの直流 Pd - 電力損失 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化

onsemi IGBT FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE 330在庫
¥1,249.1
¥885.3
¥757.4
¥750.8
最低: 1
複数: 1
Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 469 W - 55 C + 175 C FGHL75T65LQDTL4 Tube

onsemi IGBT FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 446在庫
¥798.9
¥523.2
¥337.2
¥300.6
最低: 1
複数: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 341 W - 55 C + 175 C FGHL50T65LQDT Tube

onsemi IGBT 1200V, 100A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT 364在庫
¥2,315.4
¥1,410.2
¥1,408.5
¥1,365.3
最低: 1
複数: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.43 V - 20 V, 20 V 200 A 1.495 kW - 55 C + 175 C FGY100T120RWD Tube

onsemi IGBT 1200V, 40A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT 245在庫
¥1,378.6
¥803.9
¥802.3
¥692.6
最低: 1
複数: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 20 V 80 A 600 W - 55 C + 175 C FGHL40T120RWD Tube

onsemi IGBT FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 40A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE 392在庫
¥900.3
¥508.3
¥418.6
¥392
最低: 1
複数: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 60 A 273 W - 55 C + 175 C FGHL40T65LQDT Tube

onsemi IGBT 1200V, 60A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT 17在庫
450予想2026/12/29
¥1,825.4
¥1,202.6
¥906.9
最低: 1
複数: 1
最大: 450
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 20 V 120 A 833 W - 55 C + 175 C FGHL60T120RWD Tube

onsemi IGBT FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO247-3L WITH FULL RATED CURRENT DIODE 280在庫
¥1,396.9
¥953.4
¥704.3
最低: 1
複数: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 469 W - 55 C + 175 C FGHL75T65LQDT Tube

onsemi IGBT FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 450在庫
¥842.1
¥553.1
¥411.9
¥313.9
¥302.3
最低: 1
複数: 1
Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 341 W - 55 C + 175 C FGHL50T65LQDTL4 Tube