CoolSiC™車載用1200V G1 SiC Trench MOSFET

インフィニオン (Infineon) CoolSiC™ 車載用 1200V G1 SiC トレンチMOSFETは、電力密度の向上、高効率化、および信頼性の改善を実現しています。製品ラインナップにはTO-247-3ピン、TO-247-4ピン、およびD2PAK-7ピンパッケージの1200V SiC MOSFETで構成され、RDS(on)は8.7mΩ〜160mΩ、最大IDは17A〜205A(+25°C時)の範囲にわたります。高い電力密度、優れた効率、双方向充電機能、およびシステムコストの大幅な削減により、1200V 車載用 CoolSiC™ MOSFETモジュールは、オンボードチャージャーおよびDC/DCアプリケーションに最適な選択肢となります。TOおよびSMDコンポーネントには、最適なスイッチング性能のためのケルビンソースPINSも含まれています。

トランジスタのタイプ

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選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS 製品タイプ 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 1
複数: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC_DISCRETE 非在庫リードタイム 52 週間
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SIC_DISCRETE 非在庫リードタイム 52 週間
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MOSFETs Si