第4世代EシリーズMOSFET

Vishay Semiconductors第4世代EシリーズMOSFETは、低性能指数(FOM)のMOSFETで、Eシリーズ技術が用いられています。第4世代EシリーズMOSFETは、実効容量が低く、スイッチング損失と導通損失が低減されています。これらのMOSFETは、アバランシェエ・ネルギー定格(UIS)です。第4世代MOSFETは、TO-220AB、PowerPAK® SO-8L、PowerPAK® 8 x 8、DPAK(TO-252)、薄型リードTO-220 FULLPAKパッケージでご用意があります。一般的なアプリケーションには、サーバとテレコム電源、照明、インダストリアル、スイッチ・モード電源(SMPS)、力率補正(PFC)電源があります。

結果: 29
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム パッケージ化
Vishay / Siliconix MOSFET SOT669 600V 5.6A N-CH MOSFET
3,000予想2026/11/05
カットテープ
¥455.1
¥292.3
¥199.3
¥169.4
¥149
リール
¥140.9
最低: 1
複数: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 1 Channel 600 V 5.6 A 600 mOhms 30 V 5 V 8 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET E Series Power 非在庫リードタイム 28 週間
カットテープ
¥1,154.4
¥755.8
¥558.1
¥495
リール
¥495
最低: 1
複数: 1
: 800
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 800 V 15 A 290 mOhms 30 V 2 V 122 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs TO-220AB 非在庫リードタイム 28 週間
¥257.5
最低: 1,000
複数: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 240 mOhms 30 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 600V 6.4A N-CH MOSFET 非在庫リードタイム 28 週間
¥436.8
¥215.9
¥194.3
¥156.8
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.4 A 600 mOhms 30 V 5 V 12 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement TrenchFET