600V & 1200V TRENCHSTOP IGBT
Infineon 600V & 1200V TRENCHSTOP™ IGBTには、トレンチトップセルおよびフィールドストップ概念が組み合わされており、静的および動的性能の大幅な向上につながります。 IGBTとソフトリカバリエミッタ制御ダイオードとの組み合わせによって、電源オン損失をさらに最低限まで抑えています。 スイッチング損失と導通損失での妥協により、高い効率性が可能になります。
詳細
Infineon 600V & 1200V TRENCHSTOP™ IGBTには、トレンチトップセルおよびフィールドストップ概念が組み合わされており、静的および動的性能の大幅な向上につながります。 IGBTとソフトリカバリエミッタ制御ダイオードとの組み合わせによって、電源オン損失をさらに最低限まで抑えています。 スイッチング損失と導通損失での妥協により、高い効率性が可能になります。
詳細