High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

結果: 69
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード 認証 トレードネーム
onsemi SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO263-7 736在庫
カットテープ
¥3,210.7
¥2,043
¥1,926.8
¥1,812.2
リール
¥1,798.9
最低: 1
複数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 43 A 42 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 43 nC - 55 C + 175 C 195 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO263-7 795在庫
カットテープ
¥4,129.2
¥2,780.5
¥2,596.1
リール
¥2,596.1
最低: 1
複数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 62 A 27 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 43 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO24 619在庫
¥4,901.6
¥3,207.4
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/70MOSICFETG3TO24 590在庫
¥3,451.6
¥2,154.3
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 34.5 A 90 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 46 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/16MOSICFETG3TO247-3 203在庫
¥10,965.9
¥9,525.8
¥7,853.2
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 107 A 21 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 218 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/5MOSICFETG4TOLL 1,719在庫
カットテープ
¥8,477.7
¥6,843.3
¥6,255.3
リール
¥6,255.3
最低: 1
複数: 1
: 2,000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 120 A 5 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 1.153 kW Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/8MOSICFETG4TOLL 714在庫
カットテープ
¥5,627.5
¥4,111
¥3,924.9
¥3,838.6
リール
¥3,838.6
最低: 1
複数: 1
: 2,000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 106 A 8 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/18MOSICFETG4TOLL 2,497在庫
カットテープ
¥3,813.7
¥2,473.2
¥2,333.7
¥2,179.2
リール
¥2,179.2
最低: 1
複数: 1
: 2,000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 53 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/33MOSICFETG4TOLL 2,815在庫
カットテープ
¥2,616.1
¥1,549.7
¥1,548.1
¥1,446.7
リール
¥1,446.7
最低: 1
複数: 1
: 2,000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 44 A 33 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/44MOSICFETG4TOLL 2,570在庫
カットテープ
¥2,315.4
¥1,322.2
¥1,235.8
リール
¥1,235.8
最低: 1
複数: 1
: 2,000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 35.6 A 44 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/60MOSICFETG4TOLL 3,269在庫
カットテープ
¥1,911.8
¥1,069.7
¥1,029.8
¥973.3
リール
¥973.3
最低: 1
複数: 1
: 2,000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 27.8 A 58 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/400MOSICFETG3TO263-7 588在庫
800予想2027/01/08
カットテープ
¥1,536.4
¥842.1
¥774
¥730.8
リール
¥730.8
最低: 1
複数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 5.9 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 22.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/23MOSICFETG4TOLL 1,266在庫
カットテープ
¥3,189.1
¥1,999.8
¥1,867
リール
¥1,867
最低: 1
複数: 1
: 2,000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 64 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247-4 1,041在庫
¥4,323.6
¥2,752.3
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/44MOSICFETG4TO247 6,703在庫
¥2,581.2
¥1,475
¥1,372
¥1,343.7
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/6MOSICFETG4TO247-4 384在庫
¥9,127.2
¥6,511.1
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 120 A 5.9 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO247-4 641在庫
¥3,518
¥2,116.1
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO263-7 138在庫
カットテープ
¥5,873.3
¥4,403.3
¥4,263.8
¥3,878.4
リール
¥3,878.4
最低: 1
複数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 1.2 kV 47 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 43 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/70MOSICFETG3TO24 1,070在庫
¥3,493.1
¥2,096.2
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 34.5 A 90 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 46 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO24 331在庫
¥3,518
¥2,116.1
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO247 626在庫
¥2,320.4
¥1,332.1
¥1,302.2
¥1,192.6
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/23MOSICFETG4TO247 252在庫
600予想2026/12/18
¥2,049.7
¥1,129.5
¥1,051.4
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/23MOSICFETG4TO247 1,779在庫
¥2,132.7
¥1,197.6
¥1,111.2
¥1,088
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/33MOSICFETG4TO263 306在庫
カットテープ
¥2,526.4
¥1,480
¥1,468.3
リール
¥1,382
最低: 1
複数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 44 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/33MOSICFETG4TO247 187在庫
¥2,596.1
¥1,468.3
¥1,431.8
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET