High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

結果: 71
選択 画像 部品番号
 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
認証
トレードネーム
onsemi SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO263-7
データシート
643在庫
最低： 1
複数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28.8 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-7
データシート
199在庫
最低： 1
複数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 27 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 136.4 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO263-7
データシート
795在庫
最低： 1
複数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 27 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 43 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO263
データシート
738在庫
最低： 1
複数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 650 V 43 A 42 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 43 nC - 55 C + 175 C 195 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/16MOSICFETG3TO24
データシート
205在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 107 A 21 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 218 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/5MOSICFETG4TOLL
データシート
2,544在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
最大： 170
: 2,000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 120 A 5 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 1.153 kW Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/8MOSICFETG4TOLL
データシート
876在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
最大： 120
: 2,000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 106 A 8 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/18MOSICFETG4TOLL
データシート
2,471在庫
最低： 1
複数： 1
: 2,000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 53 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/33MOSICFETG4TOLL
データシート
2,815在庫
最低： 1
複数： 1
: 2,000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 44 A 33 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/44MOSICFETG4TOLL
データシート
2,820在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 2,000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 35.6 A 44 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/60MOSICFETG4TOLL
データシート
3,279在庫
最低： 1
複数： 1
: 2,000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 27.8 A 58 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/400MOSICFETG3TO263-7
データシート
1,206在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 5.9 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 22.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/23MOSICFETG4TOLL
データシート
1,266在庫
最低： 1
複数： 1
: 2,000

SMD/SMT MO-229-8 N-Channel 1 Channel 750 V 64 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/9MOSICFETG3TO247
データシート
378在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 120 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 4 V 234 nC - 55 C + 175 C 789 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/70MOSICFETG3TO24
データシート
1,310在庫
最低： 1
複数： 1
最大： 40

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 34.5 A 90 mOhms - 12 V, + 12 V 6 V 46 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1700V/400MOSICFETG3TO263-7
データシート
5在庫
1,600取寄中
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
最大： 210
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 410 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23.1 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247-3
データシート
109在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO247-4
データシート
635在庫
最低： 1
複数： 1
最大： 30

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1700V/400MOSICFETG3TO247-3
データシート
466在庫
600予想2026/10/20
最低： 1
複数： 1
最大： 60

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 1.07 Ohms - 25 V, + 25 V 6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO26
データシート
174在庫
最低： 1
複数： 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 47 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 43 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/40MOSICFETG3TO24
データシート
392在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 45 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/80MOSICFETG3TO24
データシート
627在庫
最低： 1
複数： 1
最大： 110

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 254.2 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/23MOSICFETG4TO247
データシート
396在庫
最低： 1
複数： 1
最大： 30

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/33MOSICFETG4TO247
データシート
272在庫
最低： 1
複数： 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/33MOSICFETG4TO247
データシート
334在庫
最低： 1
複数： 1
最大： 20

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET