High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

結果: 69
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード 認証 トレードネーム
onsemi SiC MOSFET 750V/33MOSICFETG4TO247 289在庫
¥2,827
¥1,607.8
¥1,498.2
¥1,488.3
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/44MOSICFETG4TO247 395在庫
¥2,026.4
¥1,116.2
¥1,036.5
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/9MOSICFETG4TO263-7 257在庫
カットテープ
¥5,564.4
¥4,052.8
¥3,783.8
リール
¥3,783.8
最低: 1
複数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/11MOSICFETG4TO247-4 767在庫
¥3,288.8
¥2,456.6
¥2,124.4
¥2,011.5
¥1,876.9
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/150MOSICFETG3TO247-4 63在庫
¥2,318.8
¥1,295.6
¥1,235.8
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 18.4 A 330 mOhms - 25 V, + 25 V 3.5 V 25.7 nC - 55 C + 175 C 166.7 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO247 62在庫
¥4,486.4
¥2,719.1
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 85 A 35 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1700V/400MOSICFETG3TO2 166在庫
600予想2026/12/18
¥1,966.6
¥1,109.5
¥1,026.5
¥960.1
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.7 kV 7.6 A 1.07 Ohms - 25 V, + 25 V 6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO220-3 97在庫
4,000取寄中
¥1,835.4
¥1,280.6
¥1,068
¥951.8
¥887
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 31 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 190 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/150MOSICFETG3TO2 234在庫
1,200予想2026/11/16
¥2,293.8
¥1,280.6
¥1,219.2
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 18.4 A 180 mOhms - 25 V, + 25 V 3.5 V 30 nC - 55 C + 175 C 166.7 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/23MOSICFETG4TO263 13在庫
カットテープ
¥3,346.9
¥2,139.4
¥2,018.1
¥1,910.2
リール
¥1,910.2
最低: 1
複数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 64 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-3 160在庫
カットテープ
¥1,905.2
¥1,378.6
¥1,147.8
¥1,023.2
リール
¥956.7
最低: 1
複数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 1 Channel 650 V 25 A 100 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO247
1,184取寄中
¥3,890.1
¥2,406.8
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO220-3 976在庫
¥3,388.4
¥2,029.7
¥1,910.2
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-220-3 1 Channel 650 V 54 A 52 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 1200V/400MOSICFETG3TO247-3
300予想2027/01/15
¥1,928.4
¥1,315.5
¥1,096.3
¥976.7
最低: 1
複数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 7.6 A 1.07 Ohms - 25 V, + 25 V 6 V 27.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/10MOSICFETG4TOLL 非在庫リードタイム 31 週間
リール
¥3,222.3
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 106 A 10.7 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/80MOSICFETG3TO263-7 非在庫リードタイム 21 週間
カットテープ
¥2,239
¥1,300.6
¥1,212.5
¥1,147.8
リール
¥1,147.8
最低: 1
複数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 27 A 85 mOhms - 25 V, + 25 V 6 V 23 nC - 55 C + 175 C 136.4 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/9MOSICFETG4TO247-4 非在庫リードタイム 31 週間
¥3,900
最低: 600
複数: 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 650V/30MOSICFETG3TO263-3 非在庫リードタイム 52 週間
カットテープ
¥4,197.3
¥2,838.6
リール
¥2,838.6
最低: 1
複数: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) 1 Channel 650 V 65 A 27 mOhms - 25 V, + 25 V 4 V 51 nC - 25 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET UJ4SC075010L8S 在庫なし
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 106 A 10.7 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement SiC FET