SI3493DDV-T1-GE3

Vishay / Siliconix
78-SI3493DDV-T1-GE3
SI3493DDV-T1-GE3

メーカ:

詳細:
MOSFET -20V Vds 8V Vgs TSOP-6

ECADモデル:
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製品属性 属性値 属性の選択
Vishay
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TSOP-6
P-Channel
1 Channel
20 V
8 A
20 mOhms
- 8 V, 8 V
1 V
52.2 nC
- 55 C
+ 150 C
3.6 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Vishay / Siliconix
構成: Single
下降時間: 40 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 30 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 20 ns
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 P-Channel
標準電源切断遅延時間: 115 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 8 ns
単位重量: 20 mg
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選択した属性: 0

コンプライアンスコード
JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
ドイツ
組立原産国:
入手不可
拡散国:
ドイツ
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

TrenchFET Gen III Pチャンネル・パワーMOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen III PチャンネルパワーMOSFETには、低オン抵抗および低電圧降下が備わっており、効率性とバッテリ時間を向上させています。これらのパワーMOSFETは、各種パッケージサイズでご用意があります。このPチャンネルMOSFETには、広範なアプリケーションに対応しているオン抵抗定格が備わっています。アプリケーションには、負荷スイッチ、アダプタスイッチ、バッテリスイッチ、DCモータ、充電器スイッチがあります。

Si3493DDV 20V PチャンネルTrenchFET® Gen III MOSFET

Vishay / Siliconix Si3493DDV 20V PチャンネルTrenchFET® Gen III MOSFETは、-1.8VGSで0.05Ω(最大)の低オン抵抗があります。Si3493DDV MOSFETは、-55ºC~150ºCの動作温度で動作します。このパワーMOSFETは、単相構成TSOP-6パッケージサイズでご用意があります。Si3493DDV MOSFETは、オン抵抗定格を実現しており、広範なアプリケーションに対応しています。アプリケーションには、モバイル・デバイスでの負荷スイッチ、バッテリスイッチ、バッテリ管理があります。

在庫: 35,229

在庫:
35,229 すぐに出荷可能
工場リードタイム:
9 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1   最大: 6000
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール(3000の倍数で注文)

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™
¥164.4 ¥164
¥113.3 ¥1,133
¥72.1 ¥7,210
¥55.1 ¥27,550
¥52.7 ¥52,700
完全リール(3000の倍数で注文)
¥31.4 ¥94,200
¥25.2 ¥151,200
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。